标签:SOI

小说Multi-Independent闸控FinFET技术
通过技术论文链接- 08年11月,2022 -评论:0

新技术论文题为“小说的特点与Multi-Enhanced操作FinFET盖茨(MEOG FinFET)”是常州大学的研究人员发表的。文摘:“这项研究说明了一种新型设备。整合鳍场效应晶体管(FinFETs)与当前绝缘体(SOI)晶圆制造先进的特定的设备提供了一个很好的平台…»阅读更多

完全CMOS-compatible三元逆变器与记忆功能使用硅场效应晶体管反馈(FBFETs)
通过技术论文链接2022年8月- 02年,评论:0

新技术论文题为“新三元场效应晶体管逆变器使用硅与记忆功能反馈”从韩国大学的研究人员发表。文摘:在这项研究中,我们提出一个完全互补metal-oxide-semiconductor-compatible三元逆变器与记忆功能使用硅场效应晶体管(FBFETs)反馈。FBFETs操作与pos……»阅读更多

倒装芯片的集成GaSb硅光子电路的半导体光放大器
通过技术论文链接- 01年7月,2022 -评论:0

新的研究论文题为“混合硅光子学DBR激光器基于倒装芯片集成GaSb放大器和µm-scale SOI波导”由坦佩雷大学的研究人员(芬兰)。文摘:“集成光子学的发展经历前所未有的增长动力,由于加速渗透到新的应用程序。这将导致新需求的功能……»阅读更多

硅与石墨烯加热器热光开关在中红外波段操作
通过技术论文链接3月- 30,2022 -评论:0

文摘”中红外波段(2 - 20米尔,μm)的极大兴趣集成光子学等许多应用程序的芯片上的光谱化学传感、光通信。热光开关是必不可少的在米尔波段大规模集成光子电路。然而,当前的技术需要厚的包覆层,高驱动电压或可能引入h……»阅读更多

Label-Free c反应蛋白硅纳米线场效应晶体管传感器阵列与Super-Nernstian后门操作
通过技术论文链接2022年2月- 13(-评论:0

文摘:“我们现在CMOS-compatible双闸门和label-free c反应蛋白(CRP)传感器,基于绝缘体上硅(SOI)硅纳米线阵列。我们利用一个参考减去检测方法和super-Nernstian内部放大的双闸门结构。我们克服了德拜屏蔽带电c反应蛋白的蛋白质在解决方案中使用的抗体片段c…»阅读更多

稀释剂与二维半导体通道
通过凯瑟琳德比郡- 6月21日,2021 -评论:0

搬到未来的节点需要的不仅仅是较小的特点。3/2nm之外,新材料可能被添加,但哪些,什么时候将取决于爆炸材料的科学研究进行的大学和公司在全球范围内。场效应晶体管、门创建一个电场的电压通道,弯曲的禁令……»阅读更多

为硅片市场好转了
通过马克LaPedus11月19日,2020 -评论:0

在2019年经济衰退后,硅片市场预计将在2020年反弹。2021年为硅片看起来更好。硅片是半导体业务的一个基本组成部分。每个芯片制造商都需要买一个大小或另一个。硅片厂商生产和销售光或原始硅晶圆芯片制造商,他们反过来过程成芯片。硅晶片马……»阅读更多

基准的研究附加磁场效应晶体管(CFET)过程集成选项:比较散装和SOI和DSOI起始底物
通过Coventor- 6月17日,2020 -评论:0

Sub-5纳米逻辑节点需要一个非常高水平的创新来克服固有的房地产的限制在这个设备密度增加。增加设备密度的一种方法是看设备垂直维度(z)和设备堆叠到彼此代替传统并排。附加磁场效应晶体管的制造(CF…»阅读更多

防静电要求改变
通过布来安梅奥- 11年6月,2020 -评论:1

标准指定一个芯片的能力承受静电放电(ESD)正在改变——在某些情况下,越来越激烈,,有些宽松。ESD保护一直在路径从一个放之四海而皆准的方法一个信号的使用可帮助确定什么样的保护应该得到的。保护芯片的ESD损害已经长期IC设计的一部分……»阅读更多

基准的研究附加磁场效应晶体管(CFET)过程集成选项通过虚拟制造
通过Coventor- 01年6月,2020 -评论:0

四个流程选择附加磁场效应晶体管(C-FET),使用不同的设计和起始底物(如果散装,绝缘体或Double-SOI),比较评估过程变异的概率失败。研究了使用虚拟制造技术,而无需任何实际测试晶圆的制造。在这项研究中,Nanosheet-on-Nanoshe……»阅读更多

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