日本东北大学的研究人员发表了一篇题为“室温直接Cu半添加剂镀(SAP)键合用于μLED晶片上三维异构集成”的技术论文。
文摘:
“这封信描述了一种基于晶片对晶圆配置的直接铜键合技术，用于多维度集成异质双晶片。100 μm立方蓝色μ led临时粘附在光敏树脂上，通过半添加剂电镀(SAP)相互连接，不进行热压缩连接。通过使用SAP键合，可以在薄的3D-IC芯片上堆叠大量的dielets。通过以下三个关键技术来解决SAP bonding的良率问题。在拾取和放置组装后，额外的共面性增强消除了Cu桥生长到μ led和光敏树脂之间的小间隙。采用室温臭氧-乙烯基(OER)-SiO2-CVD绝缘的μ led阵列成功地结合在蓝宝石晶片和带有通硅晶片(TSV)的薄3D-IC上。虽然还需要进一步的优化设计，但部分种子预蚀刻可以很好地提高产量。与3d - ic完全集成的模块实现将是下一个阶段，然而，我们讨论了一个更好的前景，产量提高到接近100%。”
找到这里是技术文件．2023年1月出版。可以找到一篇大学新闻文章在这里．
Y. Susumago等人，“μLED晶片上三维异构集成的室温直接Cu半添加镀(SAP)键合”，《IEEE电子器件快报》，第44卷，no. 3。3, pp. 500-503, 2023年3月，doi: 10.1109/LED.2023.3237834。
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