新加坡科技与设计大学和剑桥大学的研究人员发表了一篇题为“迈向相变存储材料驱动的单细胞多策略处理移位寄存器”的新技术论文。
摘要
“现代创新是建立在计算机的基础上的。与具有独立存储和处理单元的冯·诺伊曼架构相比，内存操作利用相同的主结构进行数据存储和寄存器操作，因此有望显著降低数据中心计算的能源成本。虽然各种研究都集中在探索新的器件架构上，但设计合适的材料平台是极具挑战性的。本文利用相变材料(PCM)在数据存储和寄存器操作中的所有四种材料(M)状态，并演示了用于开发内存操作的基于M状态的组合模型框架，以及非易失性、可重新编程的单细胞移位寄存器操作。在基于M状态的平台上实现了以前未实现的每伏特多电平不同初始状态多电平集处理，并进行了进一步的计算。本文演示了可编程移位寄存器配置的最简单案例，使用串行输入串行输出处理策略，以及使用M状态类型平台的更复杂的可重新编程处理方案，展示了以前未报道的具有多种处理方法的非易失性移位寄存器类型。这为使用双端半导体材料开发下一代低功耗电子系统铺平了道路。”
找到这里是技术文件。2023年1月出版。新闻文章可以找到在这里。
郭淑娟，王强，黄坤，李廷辉，Bajalovic, N.和lod.k.(2023)，基于相变存储材料的单细胞多策略处理移位寄存器。放置智能。系统。2200353。https://doi.org/10.1002/aisy.202200353。
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