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可伸缩的方法来制造记忆电阻阵列晶片规模


新技术论文题为“圆片规模solution-processed 2 d材料模拟电阻存储器阵列基于内存的计算”来自新加坡国立大学的研究人员和高性能计算研究所、新加坡。抽象”实现高密度和可靠的基于二维半导体电阻随机存取记忆是至关重要的对他们的发展……»阅读更多

自适应突触数组使用Fowler-Nordheim动态模拟内存


抽象”在本文中,我们提出一种自适应突触阵列,可用于改善培训机器学习(ML)的节能系统。模拟的整体记忆的突触数组包含元素,其中每个微尺度的动力系统,将信息存储在它的时间状态轨迹。系统的状态轨迹然后调制……»阅读更多

将单片3 d DRAM发生吗?


DRAM缩放放缓,行业需要寻找其他方法来继续推动更多的和更便宜的记忆。最常见的方式逃避平面扩展的极限是第三个维度添加到架构。有两种方法来完成。一个是在一个包,这已经发生了。二是销售模具到Z轴,这已……»阅读更多

利用计算内存


系统变得更快,消耗更少的能量,他们必须停止浪费的权力需要移动数据和附近开始添加处理内存。这种方法已经被证明,产品进入市场,旨在填补许多角色。处理内存附近,也称为计算内存,一直躲在暗处超过十年之久。自从……»阅读更多

使用不同的内存来提高速度


提高内存性能处理大量数据上升推动芯片制造商探索新的内存类型和不同的方式利用现有的记忆,但它也创造一些复杂的新的挑战。在半导体设计行业的大部分时间里,记忆已经过去几十年的问题。主要关注的是价格和大小,但内存制造商已经一个多…»阅读更多

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