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标签:互补金属氧化物半导体

28nm高k金属栅fefet存储阵列的MAC运算
通过技术文件链接- 2022年12月1日-意见:0

Fraunhofer IPMS和GlobalFoundries的研究人员发表了一篇题为“28 nm FeFET交叉阵列乘法累积操作演示”的技术论文。摘要:本文报告了在基于28nm高k金属栅(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi的交叉棒存储器阵列上进行的线性乘积(MAC)操作。»阅读更多

人工智能提供视觉处理器，图像传感器Boom
通过苏珊兰博- 2022年11月3日-评论:0

在图像传感器和新型传感器的巨大改进的推动下，视觉系统正在迅速普及。虽然传感器本身通常使用成熟节点硅开发，但它越来越多地连接到在最先进的工艺节点上开发的视觉处理器。这可以实现每瓦最高的性能，而且还可以在设计中加入AI加速……»阅读更多

芯片架构的基本变化
通过布莱恩•贝利- 2022年10月13日-评论:5

我们认为半导体世界的许多事情都是理所当然的，但如果几十年前做出的一些决定不再可行或最优怎么办?我们看到了finfet的一个小例子，其中平面晶体管将不再缩放。今天，我们面临着几次更大的破坏，将产生更大的连锁反应。技术的发展往往是线性的。每个步骤提供incr…»阅读更多

22nm CMOS技术中安全关键应用的坚固锁存器抗QNUs
通过技术文件链接- 2022年9月7日-评论:0

安徽大学、合肥工业大学、安徽工业大学、九州理工大学和蒙彼利埃大学/CNRS的研究人员刚刚发表了一篇题为“用于纳米CMOS的四节点扰动的成本优化和健壮闩锁硬化”的技术论文。摘要:“随着CMOS晶体管特征尺寸的急剧减小，软…»阅读更多

量产量子比特(Imec和KU Leuven)
通过技术文件链接- 2022年9月5日-评论:0

这篇题为“弛豫时间超过0.1毫秒的可制造超导量子比特之路”的新技术论文由Imec和鲁汶大学的研究人员发表。“随着超导量子比特平台在走向实用量子计算机的竞赛中走向更大的规模，由于缺乏过程控制而导致的量子比特不均匀性的限制成为应用程序。»阅读更多

低温CMOS变冷
通过布莱恩•贝利- 2022年8月11日-评论

低温CMOS技术是一项新兴的技术，具有较高的性能和较低的功耗，且制造工艺没有任何变化。现在的问题是它是否可行并成为主流。技术往往看起来就在地平线上，还没有完全实现，但也不会离我们太远。这通常是因为某些问题困扰着它，而激励机制又不足以解决这些问题……»阅读更多

基于cmos兼容FeFET的储层HW计算
通过技术文件链接- 2022年8月7日-评论:0

东京大学的研究人员发表了一篇题为“带铁电场效应晶体管的硅平台上的储层计算”的新技术论文。研究人员报告了“基于由硅和铁电氧化铪锆组成的铁电场效应晶体管(FeFET)的储层计算硬件。丰富的动力学源于铁电…»阅读更多

基于硅反馈场效应晶体管(fbfet)的全cmos兼容三元逆变器
通过技术文件链接- 2022年8月2日-评论:0

高丽大学的研究人员发表了题为“使用硅反馈场效应晶体管的具有存储功能的新型三元逆变器”的新技术论文。摘要:在本研究中，我们提出了一种采用硅反馈场效应晶体管(fbfet)的具有记忆功能的全互补金属氧化物-半导体兼容三元逆变器。fbfet工作在一个pos…»阅读更多

量子计算机与CMOS半导体:回顾与未来预测
通过迈克尔Hargrove- 2022年6月16日-评论:0

随着量子计算的出现，对外围容错逻辑控制电路的需求达到了新的高度。在经典计算中，信息的单位是“1”或“0”。在量子计算机中，信息的单位是一个量子比特，它可以被描述为“0”、“1”或这两个值的叠加(称为“叠加态”)。控制c…»阅读更多

全功能CMOS芯片上带有硅纳米线的混合传感平台，包含读出电子和信号放大
通过技术文件链接- 2022年6月3日-评论:0

新的技术论文题为“使用CMOS启用的Aptasensor芯片的飞摩尔分辨率的多位点多巴胺传感”，来自德累斯顿理工大学，理化学定量生物中心，伦敦帝国理工学院，NaMLab gGmbH, ETH Zürich, MaxWell生物系统AG，维也纳理工大学和放射性药物癌症研究所。摘要:“许多生物标志物，包括神经递质，在体外细胞中被发现。»阅读更多

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