东京大学的研究人员发表了一篇题为“带铁电场效应晶体管的硅平台上的储层计算”的新技术论文。
研究人员报告”基于铁电场效应晶体管(FeFET)的储层计算硬件，该晶体管由硅和铁电氧化铪锆组成。铁电极化动力学和极化-电荷耦合所产生的丰富动力学是形成储层计算基本性质的关键:短期记忆和高维非线性变换函数。我们证明了一个基于fefet的储层计算系统可以成功地解决时间序列数据处理的计算任务，包括简单回归训练后的非线性时间序列预测。由于FeFET在硅平台上实现的高度可行性，该系统在器件级和电路级设计上都具有灵活性，并且具有与现有计算技术集成的高潜力，以实现先进的智能系统。”
找到这里是技术文件．2022年8月出版。
托拉瑟邦，K，中子，E，王，Z。et al。基于铁电场效应晶体管的硅平台储层计算。Commun英格1，21(2022)。https://doi.org/10.1038/s44172 - 022 - 00021 - 8。
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