题为“应用于物理定义的p通道Si量子点的储层偏置电压的功能”的技术论文，来自东京工业大学和设备技术研究所(D-Tech)，国家先进工业科学技术研究所(AIST)的研究人员。
摘要
“我们提出并定义了一个储层偏置电压，作为一个量子点的两个储层通常应用的电压，并研究了p通道Si量子点中的功能。通过储层偏置电压，可以对量子点的电化学电位进行调制。此外，当不同通道中的量子点电容耦合时，其中一个量子点的储层偏置电压可以作为其他量子点的门电压。我们的结果表明，该技术将减少栅电极的数量，这对未来的量子比特集成是有利的。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年6月出版。
西山，S.，加藤，K.，小林，M.等。应用于物理定义的p通道Si量子点的储层偏置电压的函数。科学报告12,10444(2022)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 14669 - x。
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