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标签:量子点

周回顾:半导体制造，测试
通过凯伦·海曼- 2022年11月18日-评论:0

据路透社报道，美国商务部一位官员在一份事先准备好的讲话中表示，中国内存芯片制造商YMTC和其他数十家中国实体“有可能”最早在12月6日被列入贸易黑名单。中芯国际联合首席执行官赵海军在财报电话会议上表示，美国最近的出口管制将对公司生产产生“不利影响”。英国有规则…»阅读更多

六量子比特处理器(代尔夫特理工大学，QuTech, TNO)
通过技术文件链接- 2022年9月29日-评论:0

代尔夫特理工大学、QuTech和荷兰应用科学研究组织(TNO)的研究人员刚刚发表了一篇题为“硅中六量子比特量子处理器的通用控制”的新技术论文。“我们增加了量子比特的数量，同时实现了通用操作、状态制备和测量的可观保真度。我们设计，设计…»阅读更多

利用量子点的储层偏置电压作为栅极
通过技术文件链接- 2022年7月1日-评论:0

题为“应用于物理定义的p通道Si量子点的储层偏置电压的功能”的技术论文，来自东京工业大学和设备技术研究所(D-Tech)，国家先进工业科学技术研究所(AIST)的研究人员。摘要“我们提出并定义了一种储层偏置电压，即通常应用于b…»阅读更多

先进半导体制造制造的量子比特
通过技术文件链接- 2022年3月29日-意见:0

摘要:“全面的量子计算机需要集成数百万个量子比特，而利用工业半导体制造来满足这一需求的潜力，推动了硅量子点量子计算的发展。然而，到目前为止，制造一直依赖于电子束光刻技术，除了少数例外，传统的起飞工艺受到低产量的影响。»阅读更多

超表面胶体量子点光电探测器
通过技术文件链接- 2022年1月27日-意见:0

摘要:“高效的光电探测器可以很容易地针对特定的光谱窗口进行设计，这是非常有趣的。在这里，我们报告了使用胶体量子点的超表面增强光电探测器和光电二极管的设计、制造和表征。我们制造的光导体优化的波长范围约1550 nm，具有高达8000 A/W的响应。»阅读更多

发光v坑:发光富铟InGaN量子点的另一种方法
通过技术文件链接- 2021年12月21日-意见:0

摘要:“实现全固态白光发射器件需要高效率的蓝色、绿色和红色发射器。然而，通过传统的量子阱生长来提高长波长的iii族氮化物发光器件的低量子效率仍然存在挑战。在这里，我们展示了一种新的直接金属有机化学气相沉积方法来生长富in的InGa…»阅读更多

制造更好量子比特的竞赛
通过凯瑟琳德比郡- 2021年11月18日-评论:0

量子计算的最大挑战之一是让量子位持续足够长的时间来做一些有用的事情。经过几十年的研究，现在似乎有了切实的进展。任何新的半导体技术所面临的挑战都是在不抛弃半个世纪以来在其他领域取得的进步的情况下，将性能提高一个或多个数量级。基于硅量子的量子比特…»阅读更多

埋地纳米磁体实现高速/低变异性硅自旋量子比特:可在可纠错的大规模量子计算机中实现
通过技术文件链接- 2021年10月27日-评论:0

摘要:“受埋线技术的启发，我们首次提出了一种实现高速/低变异性硅自旋量子比特操作的埋纳米磁铁(BNM)。高速量子门操作的结果是由BNM产生的大倾斜磁场非常接近自旋量子比特，以及由于自对准制造工艺保真度低变化。采用……»阅读更多

全硅300mm集成工艺中可调谐耦合的均匀自旋量子比特器件
通过技术文件链接- 2021年10月26日-评论:0

摘要:更大的电子自旋量子比特阵列需要在制造和器件均匀性方面进行根本性的改进。在这里，我们展示了从300K到mK温度的优秀量子比特器件均匀性和可调性。这是首次通过在“全硅”和光刻柔性300mm流中集成重叠多晶硅基栅极堆栈实现的. ...»阅读更多

协同封装光学器件会取代可插拔器件吗?
通过布来安梅奥- 2021年10月14日-评论:0

随着光纤连接深入数据中心，一场争论正在进行中。是使用可插拔光模块更好，还是将激光器深入到高级封装中更好?围绕便利性、功率和可靠性等问题展开了讨论，最终的赢家还不清楚。“业界肯定正在接受联合封装光学器件，”该公司负责人詹姆斯·庞德(James Pond)说。»阅读更多

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