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标签:产业技术

技术论文综述:7月5日
通过琳达·克里斯坦森- 2022年7月5日-评论:0

新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=36 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分)，告诉我们你还想加入什么。如果你有想要推广的研究论文，我们会审查它们，看看它们是否适合……»阅读更多

利用量子点的储层偏置电压作为栅极
通过技术文件链接- 2022年7月1日-评论:0

题为“应用于物理定义的p通道Si量子点的储层偏置电压的功能”的技术论文，来自东京工业大学和设备技术研究所(D-Tech)，国家先进工业科学技术研究所(AIST)的研究人员。摘要“我们提出并定义了一种储层偏置电压，即通常应用于b…»阅读更多

相干光学能否降低数据中心的功耗?
通过布来安梅奥- 2021年12月9日-意见:0

随着光带宽需求的增加，系统设计人员正在转向“相干”调制方案，这种方案可以在相同的激光上放置更多的数据，并在长连接时降低功率。一个新的问题是，这些节省是否也可以实现在数据中心内的短连接。“相干是一切运动的方向，因为对于给定的系统和……»阅读更多

一种基于传统VSI的新型基频切换操作，实现单级高增益升压反演
通过技术文件链接- 2021年12月7日-评论:0

单级高增益逆变器作为固有低压直流电源(如燃料电池、蓄电池和太阳能电池板)的接口，最近获得了许多研究重点。许多不同输入级配置的阻抗辅助逆变器已经被提出。为了减小无源器件尺寸，这些逆变器在高频开关下工作。高频…»阅读更多

埋地纳米磁体实现高速/低变异性硅自旋量子比特:可在可纠错的大规模量子计算机中实现
通过技术文件链接- 2021年10月27日-评论:0

摘要:“受埋线技术的启发，我们首次提出了一种实现高速/低变异性硅自旋量子比特操作的埋纳米磁铁(BNM)。高速量子门操作的结果是由BNM产生的大倾斜磁场非常接近自旋量子比特，以及由于自对准制造工艺保真度低变化。采用……»阅读更多

电源/性能位:12月15日
通过杰西·艾伦- 2020年12月15日-评论:0

阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的研究人员开发了一种方法，可以制造一种非常适合在电子设备中散热的碳材料。石墨薄膜常用于热管理。“然而，用于制造这些石墨薄膜的方法，使用聚合物作为原料，是复杂的，非常耗能……»阅读更多

人们对铁电器件越来越感兴趣
通过凯瑟琳德比郡- 2018年12月27日-评论:0

随着研究人员开始开发和测试下一代晶体管，铁电fet和存储器开始显示出前景。衡量晶体管效率的一种方法是亚阈值摆动，这是将漏极电流增加一个数量级所需的栅极电压的变化。以毫伏每十年为单位测量，在传统的mosfet中，它被限制在k…»阅读更多

生产时间:12月18日
通过马克LaPedus- 2018年12月18日-评论:0

晶型氧化镓是一种很有前途的宽带隙半导体材料。它具有4.8-4.9 eV的大带隙和8 MV/cm的高击穿场。该技术具有高电压性能系数，比硅高3000倍以上，比碳化硅(SiC)高8倍以上，比……高4倍以上。»阅读更多

制造比特:10月23日
通过马克LaPedus- 2018年10月23日-评论:0

在即将到来的2018年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，Imec预计将发表一篇关于3D堆叠finFET架构的论文。IEDM将于12月1日至5日在旧金山举行。Imec的技术基于研发组织所说的顺序集成。另一家研发机构Leti称其为3D单片集成。不管怎样，这个想法……»阅读更多

制造比特:9月4日
通过马克LaPedus- 2018年9月4日-评论:0

金泽大学和国家先进工业科学技术研究所(AIST)开发了一种工艺，解决了金刚石半导体在电力应用中的一个大问题。研究人员开发了一种水蒸气退火技术，可以产生原子平面的金刚石表面。这使钻石半导体更接近成为…»阅读更多

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