氧化镓突破;super-junction碳化硅;groovy mosfet。
氧化镓突破
水晶β氧化镓是一种很有前途的宽禁带半导体材料。它有一个大隙4.8 - -4.9 eV高细分领域8 MV /厘米。
身材高电压的技术优点,硅的3000多倍,超过8倍碳化硅(SiC),超过4倍的氮化镓(GaN)。
这项技术的潜在应用包括电力设备。然而,这项技术还处于起步阶段。和当前的品质因数的装置仍然远离预计材料限制,根据研究人员。
在最近的IEDM会议上,康奈尔大学、京都大学和新型晶体技术发表了一篇论文在β氧化镓,vertical-trench肖特基势垒二极管技术。二极管已经证明在批量使用卤氧化镓基板汽相外延层的过程。
通过这项技术,2.44 kV的击穿电压。它还展示了品质因数为0.39千瓦/ cm2从直流测量和0.45千瓦/ cm2脉冲测量。
设备的故障发生在海沟底部角落。为此,的最大电场可以持续超过5 MV /厘米。这铺平了道路对这项技术达到高品质因数的承诺。
“这些属性使β-Ga2O3一个优秀的材料适合新一代电力电子器件,特别是在恶劣的环境下,“李Wenshen说,从康奈尔大学研究员,和其他人。“单晶大块衬底熔体生长方法的可用性提供了向低成本优势和领先的外延生长和设备技术的快速发展。”
Super-junction原文如此
在IEDM,国家先进工业科学技术(产业)发表了一篇论文在应用super-junction MOSFET使用multi-epitaxial增长的方法。
碳化硅是一种基于硅和碳的化合物半导体材料。与传统的硅设备相比,SiC击穿场强的10倍和3倍的热导率,使其适合高压应用程序,如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。在另一个应用程序中,碳化硅是用来制造发光二极管。
”展示了一个1.2 kV-class super-junction SiC MOSFET。“在这项研究中,一个multi-epitaxial增长方法keV能量注入了一个1.2 kV-class SiC SJ-MOSFET,首次和动态特征进行评估,”美国Harada说离AIST研究员和其他人。
“动态特性的特点,产品的潜在设备首次被发现。肖特基势垒二极管的开关特性显示,尽管没有退化的大漏源极电容(CDS)。体二极管的反向恢复特性表现出柔和的复苏可能来自大cd和少数载流子的寿命短。高短路能力与anon-SJ设备了,”原田说。
Groovy场效电晶体
IEDM,开张也发表了一篇论文4 h-sic超级结,v型槽沟mosfet (SJ-VMOSFET)。导通电阻是最低在所有SiC mosfet的闭锁电压超过600 V。
1170伏的设备实现。“碳化硅mosfet一直期待的候选人为电力设备,由于优越的宽带隙材料特性,高临界电场和高电子饱和漂移速度,”根据t Masuda开张。“v型槽沟mosfet (VMOSFET)通道阻力减少了使用高质量高的二氧化硅/ SiC接口通道流动。”
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