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标签:IEDM

铁电记忆:中间地带
通过凯瑟琳德比郡- 2023年1月19日-意见:0

本系列的第一篇文章考虑了使用铁电体来改善逻辑晶体管的亚阈值摆动行为。铁电体在逻辑应用中的前景尚不确定，但铁电存储器具有明显的优势。两种最常见的商业记忆位于光谱的两端。DRAM速度很快，但需要恒定的功率来维持其信息…»阅读更多

通往已知的良好互连的路径
通过劳拉·彼得斯- 2023年1月19日-意见

随着摩尔定律的减缓，芯片和异构集成(HI)提供了一种引人注目的方式来继续提供性能、功率、面积和成本(PPAC)方面的改进，但是随着选择的数量持续增长，选择最佳的方式来连接这些设备，使它们以一致和可预测的方式运行正成为一个挑战。更多的可能性也带来更多潜在的互动……»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过凯伦·海曼- 2022年12月9日-意见:2

在本周庆祝晶体管问世75周年的IEDM上，有1400多名与会者，他们显然专注于让半导体的下一个75年比上一个75年更加卓越。英特尔、三星、台积电、意法半导体、GlobalFoundries和imec宣布了突破性的器件、材料甚至集成方法。这些包括:英特尔展示的优势……»阅读更多

新一代晶体管有什么不同
通过凯瑟琳德比郡- 2022年10月20日-评论:0

经过近十年的发展和五个主要节点，以及大量的半节点，半导体制造业将开始从finfet过渡到3nm技术节点的全能堆叠纳米片晶体管架构。相对于finfet，纳米片晶体管通过在相同的电路占地面积内增加通道宽度来提供更大的驱动电流。gate-all-aroun……»阅读更多

向更坚固、更便宜的SiC迈进
通过凯瑟琳德比郡- 2022年5月19日-意见:0

碳化硅在功率半导体市场，特别是在电动汽车上，正在获得越来越多的吸引力，但对于许多应用来说，它仍然太贵了。原因很好理解，但直到最近，SiC在很大程度上还是一种利基技术，不值得投资。现在，随着对可以在高压应用中工作的芯片的需求增长，SiC得到了更近距离的关注. ...»阅读更多

下一代芯片推出高选择性蚀刻技术
通过马克LaPedus- 2022年3月21日-意见:0

几家蚀刻供应商开始推出下一代选择性蚀刻工具，为新的内存和逻辑设备铺平了道路。2016年，应用材料公司是第一家推出下一代选择性蚀刻系统(有时被称为高选择性蚀刻)的供应商。现在，Lam Research, TEL和其他人正在运输具有高选择性蚀刻功能的工具，为未来的设备做准备。»阅读更多

2D半导体取得进展，但进展缓慢
通过凯瑟琳德比郡- 2022年2月28日-评论

研究人员正在研究未来节点上的各种新材料，但进展仍然缓慢。近年来，二维半导体已成为高比例晶体管通道控制问题的主要潜在解决方案。当设备收缩时，通道厚度应按比例收缩。否则，栅极电容将不足以控制cu的流动。»阅读更多

新一代3D芯片/封装竞赛开始
通过马克LaPedus- 2022年1月31日-意见:5

第一波芯片正在使用一种称为混合键合的技术冲击市场，为基于3d的芯片产品和先进封装的新竞争时代奠定了基础。AMD是第一家推出使用铜混合键合芯片的供应商，这是一种先进的芯片堆叠技术，可实现下一代类似3d的设备和封装。混合键合堆栈和连接芯片使用…»阅读更多

制造比特:12月14日
通过马克LaPedus- 2021年12月14日-意见:0

在本周的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，众多公司、研发机构和大学发表了关于最新、最棒技术的论文。IEDM的主题之一是先进的封装，一种使IC供应商能够提高芯片性能的技术。先进的封装形式也使新的类似3d的芯片架构成为可能。Fo……»阅读更多

制造比特:10月26日
通过马克LaPedus- 2021年10月26日-评论:0

在即将在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，许多实体将发表有关最新研发技术的论文。该会议将于12月11日至15日举行，涉及先进封装、CMOS图像传感器、互连、晶体管、功率器件和其他技术的论文。在IEDM，英特尔将提出一篇关于GaN的论文…»阅读更多

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