基于cmos兼容场效应管的储层计算硬件


东京大学的研究人员发表了一篇题为“铁电场效应晶体管硅平台上的储层计算”的新技术论文。研究人员报告了“基于铁电场效应晶体管(FeFET)的储层计算硬件”,该晶体管由硅和铁电氧化铪锆组成。丰富的动力学源自铁电…»了解更多

硬件加密:基于场效应晶体管的超紧凑有源互连


来自宾夕法尼亚州立大学、罗彻斯特理工学院、GlobalFoundries Fab1和北达科他州立大学的研究人员的新技术论文“铁电有源互连的硬件功能混淆”。现有的防止逆向工程的电路伪装技术增加了电路的复杂性,带来了显著的面积、能量和延迟损失。在本文中,我们……»了解更多

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