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迈克尔Hargrove

迈克尔Hargrove

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Michael Hargrove是Lam研究公司covenor的半导体工艺和集成工程师。他在半导体技术开发业务工作了30多年。他的职业生涯始于IBM，在那里他致力于先进的CMOS技术开发。随后，他在爱普生研发部门工作了五年，从事高速/高频器件的设计和表征工作。他后来加入AMD，在那里他从事高k/金属门技术。哈格罗夫随后转移到位于纽约州奥尔巴尼的GlobalFoundries研发中心。在考文特大学，他的研究重点是三维半导体过程建模。哈格罗夫获得了新罕布什尔州汉诺威达特茅斯学院塞尔工程学院的博士学位

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量子计算机与CMOS半导体:回顾与未来预测
通过迈克尔Hargrove- 2022年6月16日-评论:0

随着量子计算的出现，对外围容错逻辑控制电路的需求达到了新的高度。在经典计算中，信息的单位是“1”或“0”。在量子计算机中，信息的单位是一个量子比特，它可以被描述为“0”、“1”或这两个值的叠加(称为“叠加态”)。控制c…»阅读更多

向3nm节点迈进及超越:技术、挑战和解决方案
通过迈克尔Hargrove- 2021年8月19日-评论:0

finfet的出现似乎还停留在昨天，它是器件尺寸限制的答案，这些限制是由缩小的栅极长度和所需的静电造成的。finfet的引入从22nm节点开始，一直持续到7nm节点。在7nm之外，纳米薄片器件结构将至少用于5nm节点，也可能用于3nm节点。纳米片器件结构是其大脑结构。»阅读更多

半导体存储器的发展和当前的挑战
通过迈克尔Hargrove- 2020年7月16日-意见:0

第一个全电子存储器是1947年在曼彻斯特大学开发的威廉姆斯-基尔本电子管。它使用阴极射线管在屏幕表面以点的形式存储比特。从那时起，计算机存储器的发展包括了许多磁存储器系统，如磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器。自从19…»阅读更多

连接晶片级寄生提取和组网
通过迈克尔Hargrove- 2019年4月18日-评论:0

半导体技术仿真世界通常分为器件级TCAD(技术CAD)和电路级紧凑建模。较大的EDA公司提供高级设计仿真工具，执行LVS(布局与原理图)、DRC(设计规则检查)和许多其他软件解决方案，在最先进的技术节点上促进整个设计过程。在这…»阅读更多

硅光子学综述
通过迈克尔Hargrove- 2018年8月20日-评论:0

随着摩尔定律的终结迅速临近——有人说它已经终结了——旧技术的新应用正在获得关注。一个特别感兴趣的领域是光子学。美国国家光学和光子教育中心将光子学定义为产生和利用光和其他形式的辐射能的技术，其量子单位为光子。它也可以是……»阅读更多

基于晶圆级工艺建模的晶体管级性能评估
通过迈克尔Hargrove- 2018年5月30日-意见:0

三年前，我写了一篇题为“将虚拟晶圆制造建模与设备级TCAD仿真连接起来”的博客，在其中我描述了SEMulator3D虚拟晶圆制造软件平台与外部第三方TCAD软件之间的无缝连接。我现在很高兴地报告，设备级I- v性能分析现在是SEMulator3D中的内置模块，所以……»阅读更多

FD-SOI技术的优势
通过迈克尔Hargrove- 2018年1月18日-评论:0

如果我没记错的话，那是在1989年的器件研究会议上，SOI(绝缘体上硅)技术的潜在优点在一个激烈的晚间小组讨论中被讨论。在那次小组讨论中，有许多支持SOI的人，也有许多反对者。直到90年代中期，我才真正对SOI技术有了更多的思考，当时我坐在一个会议上。»阅读更多

利用气隙降低BEOL寄生电容
通过迈克尔Hargrove- 2017年10月19日-评论:0

降低线后端(BEOL)互连寄生电容仍然是先进技术节点发展的重点。多孔低k介电材料已被用于降低电容，然而，这些材料仍然脆弱，容易出现可靠性问题。近年来，气隙技术已成功地应用于14nm技术[1]中，并陆续推出了多种方案。»阅读更多

是什么驱动SADP BEOL变异性?
通过迈克尔Hargrove- 2017年5月18日-意见:0

在EUV光刻成为现实之前，多种图案技术，如三层蚀刻(LELELE)、自对准双图案(SADP)和自对准四重图案(SAQP)正在被用于满足先进的后端线(BEOL)技术的严格图案要求。对于7nm技术节点，制模要求包括40nm或更低的金属间距。这个…»阅读更多

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