理解每个流程步骤如何影响性能和功能。
半导体技术模拟世界通常分为设备级的TCAD (CAD)技术和电路级紧凑型建模。较大的EDA公司提供高级设计仿真工具执行lv(布局与示意图),刚果民主共和国(设计规则检查),和许多其他软件解决方案,促进整个设计过程在最先进的技术节点。在这个博客中,我想重点的设计silicon-level连接设备和导线之间backend-of-line (BEOL)。这些连接遇到芯片和各个节点连接到对方,并最终形成电路在设备上。
一个网表的描述在一个电路连接。它包括电子元件和连接节点的列表内电路。一个典型的网络列表包括所有提取的寄生电阻和功放电路布局的一部分。识别的特定层定义了晶体管和金属布线是准确计算这些寄生值的关键。之间产生的寄生R和C的,每个节点(港口),在每一个网(线),形成一个寄生的网表。网表和相关的寄生值通常带进一个紧凑的建模平台(例如香料)为后续电路级仿真。
SEMulator3D流程建模平台提供了RC提取和网表功能。这种组合的功能可以快速、准确的生成网表,包括寄生提取价值,允许将网表直接导入到一个紧凑的模型。一个典型的网络列表输出SEMulator3D如图1所示。
图1所示。典型的网络列表输出显示寄生电阻及其节点连接。
使用寄生网络列表,一个电路设计者可以R和C的网表导入到他们的契约模型并验证电路布局和操作。的现实理解电路环境,随着寄生RC效应的性能影响,导入后可以分析RC网络列表数据到一个紧凑的模型。最终,这有助于确定电路将在目标函数规范。
SEMulator3D软件平台还提供了一个精确的3 d指定布局生产的流程模型使用预定义的流程步骤。图2显示了一个示例使用SEMulator3D构建的布局,以及由此产生的三维结构的一部分暴露的晶体管和金属线之间的联系。网表的目标提取是提取寄生R和C的晶体管和金属的水平。网表建模基础设施SEMulator3D包括晶体管识别基于布局面具的水平,一个名称标识导电材料层一步,和端口标识和位置定义导体之间的连接点和晶体管源/漏。
图2所示。电路布局在左和晶体管和金属连接显示在右。外部端口则显示为蓝色。
从SEMulator3D生成的网表结构,所有需要的端口(蓝色),如图3所示。的电气视图结构,标识网表结构组件,包括最后一个网表输出,如图3所示。
图3所示。网表中提取结构组件(左)与港口确定了蓝色。正确的图是产生电的组件,这些组件构成了R和C的网表。
网表文件SEMulator3D可以写入. txt文件中方便导入任何契约模型。部分部分的网表文件图4所示。
图4所示。最后一个网表输出。
标准RC提取和完整的网表提取,在硅处理层次,在SEMulator3D提供。链接一个精确的流程流的能力(包括每个流程模块步骤和参数)的寄生RC网络列表在过程开发是非常宝贵的。设计师可以获得一个全面和直接的理解每道工艺步骤影响高级电路的性能和功能,以避免硅基学习的时间和成本。
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