一个新的技术论文题为“揭秘CXL记忆与真正的CXL-Ready系统和设备”由伊利诺斯大学香槟分校研究人员发表(伊利诺斯)和英特尔实验室。
文摘:
“内存容量的高需求在现代数据中心导致创新的多行内存扩展和崩溃。就是这样一个努力计算表达链接(CXL)的内存扩展,已获得了广泛的关注。更好地利用CXL记忆,研究人员建立了多个仿真和实验平台来研究其行为和特征。然而,由于缺乏商业硬件支持CXL内存,其功能的全貌可能仍不明朗。在这项工作中,我们探索CXL内存的性能表征在一个先进的实验平台。首先,我们研究的基本性能特点CXL内存使用我们提出的微基准测试。根据我们的观察和比较标准DRAM连接到本地和远程NUMA节点,我们也研究CXL记忆的影响在端到端应用程序与不同卸载和交错的政策。最后,我们提供了一些指导方针为未来程序员实现CXL记忆的潜力。”
找到技术论文在这里。2023年3月出版(预印本)。
元,太阳,燕,一帆Zeduo Yu瑞茜·库珀,Ipoom桢,任王,南金成。“揭秘CXL记忆与真实CXL-Ready系统和设备。“arXiv预印本arXiv: 2303.15375 (2023)。
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