需要考虑的因素来提高可靠性更高的速度。
提高性能的先进半导体变得更加困难,因为芯片变得更复杂。有要处理更多的物理效应,不同的用例,和挑战在记忆更快。此外,老化的影响,一旦被忽略了现在成为至关重要的问题。史蒂文哇,Rambus研究员、著名的发明家,谈论不同的因素需要考虑改善可靠性和性能增加,哪些需要建模来进行工作。
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现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
但是差距工具很难解决翘曲,结构性问题,新材料在multi-die / multi-chiplet设计。
技术和业务问题意味着它不会取代EUV,但光子学、生物技术和其他市场提供足够的增长空间。
IBM GlobalFoundries起诉;欧盟的47美元b芯片计划;中国芯片产出下降;空间打造开放我们设施;首先LPDDR闪存;可变形的纳米电子设备;桌面三维x光显微镜。
Gate-all-around将取代finFET,但它会产生一系列的挑战和未知。
少低精度等于权力,但标准要求做这项工作。
新的应用程序需要深刻理解不同类型的DRAM的权衡。
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
技术和业务挑战依然存在,但势头正在建设。
一个处理器的验证是更复杂的比同等规模的ASIC,和RISC-V处理器把这一层复杂性。
新的内存标准增加了巨大的好处,但它仍然是昂贵和复杂。这可能会改变。
该行业似乎认为这是一个真正的目标开放的指令集架构。
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