一篇题为“大面积合成高电性能MoS”的新技术论文2由南安普敦大学、慕尼黑大学和芬兰VTT技术研究中心的研究人员共同完成。
文摘:
“这项工作展示了原子薄2D半导体的大面积工艺，以解锁其商业应用所需的技术高端。新的原子层沉积(ALD)和转换技术实现了大面积的性能均匀性和可调性。与石墨烯一样，2D过渡金属二硫族化合物(TMDCs)也容易面临升级挑战，限制了其商业应用。它们在大型衬底上均匀生长和在替代衬底上转移是具有挑战性的，同时它们通常缺乏大面积的电气性能均匀性。这项工作的可扩展ALD工艺使二维TMDCs在大面积上均匀生长，可以独立控制层厚度、化学计量和结晶度，同时允许化学自由转移到应用基板上。使用该工艺在柔性衬底上制造的场效应晶体管(fet)的场效应迁移率高达55 cm2/Vs，亚阈值斜率降至80 mV/dec，开/关比为107。此外，还演示了使用工作电压为±5 V、开关比为107、存储窗口为3.25 V的铁电场效应管(fefet)的非易失性存储晶体管。这些fefet展示了最先进的多状态开关性能，适用于单晶体管非易失性存储器和突触晶体管，揭示了该工艺在灵活神经形态应用中的适用性。”
找到技术纸在这里。2023年3月出版。
Aspiotis, N.， Morgan, K.， März, B。et al。大面积合成高电性能MoS2通过商业上可扩展的原子层沉积工艺。npj 2D Mater app7， 18(2023)。https://doi.org/10.1038/s41699 - 023 - 00379 - z。
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