大面积过程自动瘦2 d半导体,使用可伸缩的退化


新技术论文题为“大面积合成高电气性能二硫化钼的商业可伸缩的原子层沉积过程”南安普顿大学的研究人员,LMU慕尼黑和芬兰VTT技术研究中心的。文摘:“这个工作演示了一个大面积的过程对于自动瘦2 d半导体解锁所需技术高档…»阅读更多

重量可调光子突触非线性垂直腔半导体光放大器增益


文摘:在这篇文章中,我们报告一个高速和可调光子突触元素基于垂直腔半导体光放大器(VCSOA)操作较短(150 ps-long)和低能耗(μW峰值功率)光脉冲。利用非线性增益的属性VCSOAs受制于外部光注入时,我们的系统允许满载重量可调谐性sub-ns输入光p…»阅读更多

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