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标签:过渡金属dichalcogenides

二维半导体材料蠕变对制造业
通过凯瑟琳德比郡2023年2月- 16(-评论:0

随着晶体管规模,他们需要薄渠道实现足够的通道控制。不过,在硅表面粗糙度散射降低流动性,限制最终通道厚度约3海里。二维过渡金属dichalcogenides (tmd),如二硫化钼和WSe2有吸引力的部分原因是他们避免此限制。没有平面外晃来晃去的债券和在…»阅读更多

肖特基势垒高度的控制单层WS2使用分子掺杂场效应晶体管(NIST)
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

一个新的研究论文题为“控制单层WS2肖特基势垒高度的场效应晶体管使用分子掺杂”被NIST的研究人员发表,赛思研究,海军研究实验室,新星的研究。文摘:“的发展过程可控涂料二维半导体是至关重要的实现下一代电子和光电设备。波形的……»阅读更多

新材料新设备打开大门
通过凯瑟琳德比郡- 7月21日,2022 -评论:0

将2 d材料集成到传统的半导体制造过程可能是一个更为激进的芯片产业历史上的变化。虽然有痛苦与半导体制造的任何新材料的引入,过渡金属dichalcogenides (tmd)支持各种新设备的概念,包括BEOL晶体管和单-…»阅读更多

在略微扭曲的二维半导体界面铁电性
通过技术论文链接- 08年3月,2022 -评论:0

抽象的“扭曲的异质结构的二维晶体为新材料的设计提供几乎无限的范围。在这里我们展示一种室温铁电半导体组装使用mono -或few-layer二硫化钼。这些范德瓦耳斯破碎的镜面对称,异质结构特征,结合tw的不对称原子排列的接口……»阅读更多

二维半导体取得进展,但进展缓慢
通过凯瑟琳德比郡- 2月28日,2022 -评论:2

研究人员正在寻找各种新材料在未来的节点,但进展仍然缓慢。近年来,二维半导体已成为通道控制的主要潜在的解决问题的办法在高度按比例缩小的晶体管。作为设备缩小,通道厚度应该缩小比例。否则,门电容不会大到足以控制铜的流……»阅读更多

基于过渡金属dichalcogenides高性能柔性纳米晶体管
通过技术论文链接8月24日,2021 -评论:0

看报纸。6月17日,2021年出版,电子性质。抽象的二维(2 d)半导体过渡金属dichalcogenides可以用于构建高性能的灵活的电子产品。然而,灵活的场效应晶体管(fet)基于这样的材料通常是用频道制作的长度在微米尺度,没有受益于短沟道等优点…»阅读更多

好的和坏的二维材料
通过凯瑟琳德比郡- 2月27日,2019 -评论:0

尽管经过多年的警告达到硅的局限性,特别是在前沿流程节点,电子迁移率有限,仍没有明显的替代品。硅集成电路产业的长达数十年的主导地位只是部分原因是材料的电子性质。砷化镓锗,和许多其他半导体提供优越mobili……»阅读更多

系统:10月11日
通过埃德·斯珀林10月- 11,2016 -评论:0

碳是2015麻省理工学院的研究人员创造了一个超级电容器,依赖于碳以外的材料。这个新类的材料,称为有机框架(mof),是一种多孔海绵样的,根据麻省理工学院,tthereby提供一个更大的比表面积碳。在大多数情况下电,更多的表面积对超导体至关重要。再保险的问题……»阅读更多

电力/性能:5月24日
通过杰西·艾伦2016年5月- 24 -评论:0

减少MRAM芯片面积东北大学的研究人员开发出一种技术堆栈磁隧道结(MTJ)通过没有直接导致恶化其电/磁特性。团队专注于减少存储单元面积自旋转矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)为了降低制造成本,使他们更补偿……»阅读更多

制造业:2月16日
通过马克LaPedus2016年2月- 16(-评论:0

一氧化碳芯片二维(2 d)材料研发实验室中日益活跃。二维材料可以使一个新类的场效应晶体管(fet),但是技术预计不会出现直到未来十年内的某一时刻。二维材料包括石墨烯、氮化硼和过渡金属dichalcogenides (tmd)。TMD,钼联硒化物(监理),获得了国际米兰……»阅读更多

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