大面积过程自动瘦2 d半导体,使用可伸缩的退化


新技术论文题为“大面积合成高电气性能二硫化钼的商业可伸缩的原子层沉积过程”南安普顿大学的研究人员,LMU慕尼黑和芬兰VTT技术研究中心的。文摘:“这个工作演示了一个大面积的过程对于自动瘦2 d半导体解锁所需技术高档…»阅读更多

铁电记忆:中间立场


在本系列的第一篇文章被认为是铁电体的使用提高晶体管阈下摇摆行为逻辑。铁电体的前景在逻辑应用程序是不确定的,但铁电记忆有明显的优势。两种最常见的商业记忆躺在对立的两端。DRAM是快,但要求恒功率保持备用…»阅读更多

使用FeFETs HDC Multi-Bit内存计算系统,实现SW-Equivalent-Accuracies


新技术论文题为“实现software-equivalent hyperdimensional计算精度与ferroelectric-based内存计算”巴黎圣母院大学的研究人员,弗劳恩霍夫光子微系统研究所,加州大学欧文分校,德累斯顿技术大学。“我们现在multi-bit HDC IMC系统使用铁电场效应晶体管……»阅读更多

周评:制造、测试


光子芯片在欧洲大PhotonDelta,协作应用程序的端到端供应链光子芯片,获得€11亿条件对六年计划的资助。投资从荷兰政府和其他组织”将用于建造200创业,扩大生产规模,为光子芯片,创建新的应用程序和开发基础设施…»阅读更多

基于铁电,氧化铪的晶体管数字超出了冯·诺依曼计算机


来源:AIP应用物理快报,2/4/2021出版。伊芙琳·t·Breyer1卤素Mulaosmanovic1托马斯·Mikolajick1 2,和Stefan Slesazeck1 1纳米电子材料实验室(NaMLab) gGmbH 01187德累斯顿,德国2纳电子学的椅子,你德累斯顿01187德累斯顿,德国技术论文链接在这里»阅读更多

利用非易失性逻辑


科学家正在研究开发一种新型的逻辑设备,称为非易失性逻辑(NVL),基于铁电场效应晶体管。FeFETs一直是高利息的话题在最近的行业会议,但是绝大重点都是在内存中使用数组。记忆细胞,然而,仅仅是一个晶体管,可以存储的状态。在其他应用程序中,可以利用。“Non-v…»阅读更多

FeFETs带来希望和挑战


铁电场效应晶体管(FeFETs)和内存(FeRAM)产生高水平的研究团体的兴趣。基于物理机制尚未商业化利用,他们加入一些有趣的新物理思想,在商业化的不同阶段。“FeRAM很有前途,但就像所有承诺内存技术——它需要一段时间得到b…»阅读更多

Cerfe实验室:自旋对内存


手臂已经剥离它的一个更有趣的半导体研究项目,一个新的非易失性RAM内存类型称为相关电子材料(陶瓷)有潜力大幅降低内存的成本从边缘设备高性能计算。由两个前手臂研究内部人士——埃里克•Hennenhoefer谁将担任首席执行官和格雷格•Yeric wh……»阅读更多

扩大Compute-In-Memory加速器


研究人员重点关注在新的架构来提高性能通过限制数据的移动设备,但这被证明是比看起来要难得多。基于内存的计算的参数是熟悉了。许多重要的计算工作负载需要反复操作大型数据集。移动数据从内存和处理单元——所谓的…»阅读更多

制造业:4月23日


排序核欧洲核子研究中心和GSI达姆施塔特已经开始测试的第一个两个巨大的磁铁,将作为的一部分的一个世界上最大和最复杂的加速器设施。欧洲核研究组织,欧洲核子研究中心最近获得两个磁铁从助教。两个磁铁共有27吨重。大约60在未来5年内将陆续推出更多的磁铁。这些……»阅读更多

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