Arm分支专注于CeRAM作为现有存储器的潜在低成本替代品。
Arm剥离了一个更有趣的半导体研究项目，一种新的非易失性存储器类型，称为相关电子材料RAM (CeRAM)，它有可能大幅降低从边缘设备到高性能计算的所有内存成本。
由两位前Arm Research内部人士领导-Eric Hennenhoefer他将担任首席执行官，而Greg Yeric将担任首席技术官——新公司Cerfe实验室的目标是探索一种新型存储器及其潜在应用，并在该小组一直在铁电fet方面所做的工作的基础上继续发展。
“作为一家初创公司，我们专注于继续我们已经做过的工作Symetrix该公司在铁电存储器方面有着悠久的历史，”前Arm研究员Yeric说。“他们偶然发现了一种基于相关电子开关机制的新型存储器。强相关电子学领域并不新鲜。自20世纪40年代以来，人们一直在使用它。但他们从未破解密码。我们还没有直接的证据证明我们有一个大容量开关相关的电子开关，但我们有很多数据，基本上是大象的每个部分减去实际的DNA测试。”
Yeric指出，这仍是早期研究。然而，这些结果非常有趣，足以让Arm继续与Symetrix进行研究。“如果你看看你想要从内存中得到的东西——速度、功率、尺寸和成本扩展——我们强烈地认为，它将在所有这些方面都取得进展。我们已经有了关于速度和维度缩放的数据，我们对其潜力感到兴奋。我们没有时间来更换5nm SRAM，但与此同时，这是一个基本的材料转换。所以你可以把它和ALD, PVD放在晶圆上，或者你可以旋转它。在老式的节点上，自旋存储设备的成本非常低，而且电极之间只有一层深度。但你得到的是纳秒级的速度，低功耗，从边缘人工智能到高性能计算，它都有潜力。”
图1:CeRAM照片及结构。来源:Cerfe实验室
实际生产CeRAM工作版本的时间框架尚未确定。但是能够喷洒在低电压的存储器上的吸引力是有趣的。Yeric说，薄膜本身以大量的方式开关，他将其描述为电子轨道，量子力学开关。“所以它不是灯丝，也不是MRAM。它需要一个非常精确的层。如果薄膜的厚度从70nm开始变化，随着薄膜厚度的变化，晶圆上的电流会发生变化，但它仍然会工作，电压方面，而且会工作得很好。这是Symetrix发明的，很难理解。我是一个研究半导体的人，在我读研究生时的课本的第一页上我们做了近似计算，排除了这些东西。相关电子与独立电子近似相反。”
这种存储器的部分初始资金来自DARPA的CeRAM项目，该项目具有多级单元能力。这也为潜在的神经形态计算应用，以及极端寒冷和高温应用中的量子计算提供了可能。
这最终将如何推广到半导体行业仍有待观察。不久前还担任Arm研究副总裁的Hennenhoefer强调，这只是一项研究工作。“我们有团队，我们有所有的知识产权和合同，我们有足够的资金去做这件事。Arm已经加入了，从Arm的研究角度来看，我们一直很喜欢这种记忆，因为我们有一天可以用它来做什么。世界需要更好的记忆，所以如果这样的东西能起作用，将会产生巨大的影响。这是有风险的，如果你看看新兴内存发布的历史，你会发现它们往往令人失望，而且耗时很长。所以，虽然我们在过去5年里取得了巨大的进展，但还有很长的路要走。”
然而，有趣的是，这个领域的工作将继续下去。Arm已获得Cerfe Labs的少数股权，Arm的首席战略官杰森·扎亚克(Jason Zajac)将加入公司董事会。作为协议的一部分，Arm将向Cerfe实验室转让约150个专利家族，Cerfe实验室将成为路线图的基础。
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