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标签:“肾上腺脑白质退化症”

铜互连能走多远?
通过劳拉·彼得斯- 2022年12月15日-意见:0

随着领先的芯片制造商继续将finfet(很快还会是纳米片晶体管)的尺寸扩大到越来越小的间距，使用铜作为衬里和阻挡金属的最小金属线最终将变得站不住脚。接下来会发生什么，什么时候发生，还有待决定。目前正在探索多种选择，每一种都有自己的一套权衡。自从IBM将计算机引入这个行业…»阅读更多

用于高级图案转移应用的高温稳定自旋碳材料
通过布鲁尔科学- 2022年6月16日-评论:0

近年来，与高温工艺兼容的自旋碳(SOC)材料需求旺盛。这一要求是为了在利用化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)工艺的集成方案中使用高温SOC (HTSOC)材料。除了与高温沉积工艺兼容外，planari…»阅读更多

下一代芯片推出高选择性蚀刻技术
通过马克LaPedus- 2022年3月21日-意见:0

几家蚀刻供应商开始推出下一代选择性蚀刻工具，为新的内存和逻辑设备铺平了道路。2016年，应用材料公司是第一家推出下一代选择性蚀刻系统(有时被称为高选择性蚀刻)的供应商。现在，Lam Research, TEL和其他人正在运输具有高选择性蚀刻功能的工具，为未来的设备做准备。»阅读更多

将铜互连扩展到2nm
通过劳拉·彼得斯- 2022年3月17日-意见:0

晶体管的比例在3nm达到了一个临界点，纳米片fet很可能取代finfet，以满足性能、功率、面积和成本(PPAC)的目标。类似地，一个重大的架构变化正在被评估为2纳米铜互连，这一举措将重新配置功率传输到晶体管的方式。这种方法依赖于所谓的地下电力轨道(BPRs)和…»阅读更多

利用工艺建模增强自对准四重模式化过程中的器件均匀性
通过蒂莫西·杨- 2021年11月18日-评论:0

尽管人们对EUV光刻越来越感兴趣，但自对准四重图案(SAQP)在图案一致性、简单性和成本方面仍然具有许多技术优势。这尤其适用于非常简单和周期性的模式，如线和空间模式或孔阵列。SAQP最大的挑战是固有的不对称掩模形状。这种不对称会产生结构性的…»阅读更多

推动2D半导体向前发展
通过凯瑟琳德比郡- 2021年9月16日-评论

关于2D材料取代硅的传言似乎还为时过早。虽然2D半导体已经成为潜在的继任者，但尚不清楚这种情况何时甚至是否会发生。正如Imec量子和探索性计算主管尤利安娜·拉杜(Imec)所观察到的，硅的“末日”之前已经被预测过很多次。目前尚不清楚2D半导体何时需要准备就绪。前沿空中管制官…»阅读更多

优化原子层沉积的智能代理
通过技术文件链接- 2021年8月5日-评论:0

“原子层沉积(ALD)是一种高度可控的薄膜合成方法，应用于计算、能源和分离。ALD的灵活性意味着它可以访问大量的化学目录;然而，这种化学和工艺的多样性导致了在确定工艺参数方面的重大挑战，从而以最小的成本实现稳定和均匀的薄膜生长。»阅读更多

制造比特:6月29日
通过马克LaPedus- 2021年6月29日-评论:0

美国能源部(DOE)阿贡国家实验室开发了多种方法，通过使用人工智能(AI)提高原子层沉积(ALD)的效率。ALD是一种沉积技术，每次在芯片上沉积一层材料。多年来，ALD一直用于生产dram、逻辑器件和其他产品。在…»阅读更多

用于关键腔室部件的ALD涂料
通过瑟瑞娜Brischetto- 2021年3月18日-意见:0

随着每一次向新技术节点的过渡，晶圆厂对金属和颗粒污染的要求变得更加严格，这对现有的镀膜方法(如阳极氧化或等离子喷涂)提出了挑战，这些方法可能无法提供完全的污染保护，特别是对具有复杂几何形状的关键腔室组件。SEMI与Beneq业务主管Sami skneck就…»阅读更多

新颖的蚀刻技术利用原子层工艺先进的图案
通过电话- 2020年12月17日-评论:0

我们展示了高选择性和各向异性的Si3N4和SiC等离子体蚀刻。所演示的过程包括一系列的离子改性和化学干燥去除步骤。H离子修饰的Si3N4腐蚀对SiO2和SiC薄膜具有较高的选择性。此外，我们还开发了氮离子改性SiC的选择性蚀刻技术。另一方面，在模版蚀刻过程中，…»阅读更多

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