利用布鲁尔科学公司的HTSOC与EUV光刻成功开发了模式转移过程。HTSOC可以作为自对准双图案化(SADP)的芯轴，利用间隔层的高温CVD沉积。
近年来，与高温工艺兼容的自旋碳(SOC)材料需求旺盛。这一要求是为了在利用化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)工艺的集成方案中使用高温SOC (HTSOC)材料。除了与高温沉积工艺兼容外，平面化要求和/或化学-机械抛光兼容性通常也很关键。为了满足这些新的挑战性要求，我们开发了一系列HTSOC材料，以满足这些关键需求。在这篇论文中，我们介绍了一个成功的开发模式转移过程使用我们的HTSOC与EUV光刻。我们还展示了利用间隔层的高温CVD沉积，HTSOC可用作自对准双图版(SADP)的芯轴的能力。本文将详细讨论下一代HTSOC材料的特性，并将其与以前的HTSOC材料、传统低温soc以及非晶碳(aC)进行比较。
作者:Jakub Koza, Caroline Evans, Runhui Huang, Jamie storey, Vandana Krishnamurthy, Douglas Guerrero，布鲁尔科学公司(美国)
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