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标签:SADP

通过工艺窗口建模寻径:使用虚拟制造的高级DRAM电容器模式化工艺窗口评估
通过Coventor- 2022年12月14日-意见:0

在先进的DRAM中，设计紧密封装模式的电容器以增加电池密度。因此，可能需要先进的制版方案，如多重蚀刻、SADP和SAQP工艺。在本文中，我们系统地评估了一个DRAM电容器空穴形成过程，包括SADP和SAQP模式，使用虚拟制造和统计分析在SEMulator3D。聚氨酯……»阅读更多

深入了解先进的DRAM电容器模式:使用虚拟制造的工艺窗口评估
通过Qingpeng王- 2022年10月20日-评论:0

随着设备的不断扩展，由于较小的特征尺寸和较大的工艺步骤可变性，工艺窗口变得越来越窄[1]。在半导体开发的研发阶段，一个关键的任务是选择一个具有较大工艺窗口的良好集成方案。在晶圆测试数据有限的情况下，评估不同集成方案的制程窗口可以…»阅读更多

用于高级图案转移应用的高温稳定自旋碳材料
通过布鲁尔科学- 2022年6月16日-评论:0

近年来，与高温工艺兼容的自旋碳(SOC)材料需求旺盛。这一要求是为了在利用化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)工艺的集成方案中使用高温SOC (HTSOC)材料。除了与高温沉积工艺兼容外，planari…»阅读更多

制造位:3月8日
通过马克LaPedus- 2021年3月8日-评论:0

在最近的SPIE高级光刻大会上，尼康公司介绍了一种双光束极紫外(EUV)光刻技术。尼康的EUV投影光学晶圆曝光机(EUV Power Machine)仍处于概念阶段，是为1nm左右的节点设计的。该系统的线分辨率最低为10nm。»阅读更多

门全能的计量挑战
通过马克LaPedus- 2020年4月16日-评论:3

对于那些致力于3nm及以上全门fet工艺的代工厂来说，计量是一个主要的挑战。计量学是测量和表征设备结构的艺术。在每一个新的节点上，测量和表征器件中的结构变得更加困难和昂贵，而新型晶体管的引入使这变得更加困难。电动汽车……»阅读更多

DRAM扩展挑战增加
通过马克LaPedus- 2019年11月21日-意见:5

DRAM制造商正在进入下一个扩展阶段，但随着内存技术接近物理极限，他们面临着几个挑战。DRAM被用于系统的主存储器，目前最先进的设备都是基于大约18nm到15nm的工艺。DRAM的物理极限在10nm左右。研发部门正在努力扩展技术，最终……»阅读更多

用于下一代设备的光刻选项
通过马克LaPedus- 2019年4月18日-评论

芯片制造商正在提高极紫外(EUV)光刻技术，以实现7nm和/或5nm的高级逻辑，但EUV并不是唯一的光刻选择。一段时间以来，该行业一直致力于其他各种下一代光刻技术，包括新版本的EUV。每种技术都是不同的，针对不同的应用。今天有些人就在这里，w…»阅读更多

FD-SOI走向主流
通过埃德·斯珀林- 2018年7月19日-评论:0

《半导体工程》坐下来讨论了FD-SOI世界的变化及其背后的内容，与Brewer Science高级半导体制造副CTO和企业技术研究员James Lamb;意法半导体技术营销总监Giorgio Cesana;Screen Semiconductor Solutions高级副总裁兼CTO Olivier Vatel;还有Carlos Mazure, Soi的CTO…»阅读更多

正在出现新的模式选项
通过马克LaPedus- 2018年4月19日-评论

随着向10/7nm及以上新器件的转变，几家晶圆厂工具供应商正在推出下一波自对准制模技术。应用材料、Lam Research和TEL正在开发基于各种新方法的自对准技术。最新的方法包括多色材料方案的自对齐图案技术，这是为我们设计的…»阅读更多

更多光刻/掩模挑战(下)
通过马克LaPedus- 2018年4月17日-评论:3

《半导体工程》杂志与高级制版部门主管Gregory McIntyre坐下来讨论光刻和掩模技术[getentity id="22217" e_name="Imec"];[getentity id="22819" comment="GlobalFoundries"]高级研究员兼技术研究高级主管Harry Levinson;Regina Freed， [getentity id="…»阅读更多

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