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标签:化学汽相淀积

二维半导体材料向制造业发展
通过凯瑟琳德比郡- 2023年2月16日-意见:0

随着晶体管的缩小，它们需要更薄的通道来实现足够的通道控制。然而，在硅中，表面粗糙度散射降低了迁移率，将最终通道厚度限制在3nm左右。二维过渡金属二卤属化合物(TMDs)，如MoS2和WSe2，之所以具有吸引力，部分原因是它们避免了这种限制。没有飞机外的悬空债券和在…»阅读更多

铜互连能走多远?
通过劳拉·彼得斯- 2022年12月15日-意见:0

随着领先的芯片制造商继续将finfet(很快还会是纳米片晶体管)的尺寸扩大到越来越小的间距，使用铜作为衬里和阻挡金属的最小金属线最终将变得站不住脚。接下来会发生什么，什么时候发生，还有待决定。目前正在探索多种选择，每一种都有自己的一套权衡。自从IBM将计算机引入这个行业…»阅读更多

用于高级图案转移应用的高温稳定自旋碳材料
通过布鲁尔科学- 2022年6月16日-评论:0

近年来，与高温工艺兼容的自旋碳(SOC)材料需求旺盛。这一要求是为了在利用化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)工艺的集成方案中使用高温SOC (HTSOC)材料。除了与高温沉积工艺兼容外，planari…»阅读更多

2D半导体取得进展，但进展缓慢
通过凯瑟琳德比郡- 2022年2月28日-评论

研究人员正在研究未来节点上的各种新材料，但进展仍然缓慢。近年来，二维半导体已成为高比例晶体管通道控制问题的主要潜在解决方案。当设备收缩时，通道厚度应按比例收缩。否则，栅极电容将不足以控制cu的流动。»阅读更多

基于过渡金属二卤属化合物的高性能柔性纳米晶体管
通过技术文件链接- 2021年8月24日-评论:0

在这里阅读报纸。《自然电子》杂志2021年6月17日发表。二维半导体过渡金属二卤属化合物可用于构建高性能柔性电子器件。然而，基于这种材料的柔性场效应晶体管(fet)通常是用微米级的通道长度制造的，没有从短通道的优势中受益。»阅读更多

高温稳定，自旋碳材料，用于高纵横比缝隙填充应用
通过布鲁尔科学- 2021年6月16日-评论:0

Brewer Science, Inc.开发了一类具有优异加工性能的新型高温稳定自旋碳(SOC)基材料。这些soc在温和的条件下固化，具有流动特性，能够以无空隙的方式填充高纵横比的通孔。此外，这种新型soc具有显著的热稳定性，可以在高达550°C的温度下生存。»阅读更多

300mm设备的需求和交货时间飙升
通过马克LaPedus- 2021年5月20日-意见:0

对各种芯片的需求激增导致了300mm半导体设备、掩模工具、晶圆和其他产品的选择短缺和交货时间延长。在过去的几年里，200mm设备在市场上一直供不应求，但现在整个300mm供应链也出现了问题。传统上，交货时间是三到六个月。»阅读更多

追逐碳纳米管fet
通过马克LaPedus- 2021年3月18日-意见:6

经过近四分之一个世纪的研发，碳纳米管晶体管终于在先进逻辑芯片的潜在应用上取得了进展。现在的问题是他们是否会从实验室搬到晶圆厂。多年来，一些政府机构、公司、铸造厂和大学一直在发展，现在正在取得碳纳米管场效应传输的进展。»阅读更多

3D NAND的垂直缩放竞赛
通过马克LaPedus- 2020年12月17日-评论

在日益激烈的竞争中，3D NAND供应商正在加速努力转向下一个技术节点，但所有这些供应商都面临着各种新的业务、制造和成本挑战。两家供应商美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)最近在竞争中脱颖而出，并在3D NAND的规模竞赛中领先。但三星和kixia - western Digital(…»阅读更多

用于高温加工的平面化自旋碳材料的研制
通过布鲁尔科学- 2020年8月20日-评论:0

多层光刻技术被用于先进的半导体工艺，以形成复杂结构的图案。随着越来越多的程序纳入高温工艺，如化学气相沉积(CVD)，对热稳定材料的需求增加。对于某些应用，CVD层下的自旋碳(SOC)层需要在高温过程中存活. ...»阅读更多

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