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技术论文

内存中计算:评估多层次RRAM-Based VMM操作

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一个新的技术论文题为“多层次的实验评估RRAM-Based向量矩阵乘法操作内存计算”是由研究人员发表IHP(莱布尼茨高性能微电子研究所)。

文摘:
“电阻随机存取内存(RRAM)的硬件加速器起着重要的作用在内存中计算(IMC)系统的实现为人工智能的应用。后者严重依赖向量矩阵乘法(VMM)操作,可以有效地提高RRAM设备。然而,随机的性质RRAM技术仍然是具有挑战性的实际硬件实现。研究的准确性退化连续VMM操作,在这项工作我们计划两个RRAM 8组成的子串×8 one-transistor-one-resistor (1 t1r)细胞在两种不同分布的导电水平。我们分析其鲁棒性与1000相同的连续VMM操作和监视设备的固有nonidealities沿着测试。我们终于量化操作的精度损失在数字域之间的权衡和考虑线性分布的电阻状态RRAM细胞及其鲁棒性对nonidealities未来实施IMC硬件系统。”

找到技术论文在这里。2023年2月出版。

e p - b。et al .,《实验评估的多级RRAM-Based向量矩阵乘法操作内存计算,“在IEEE电子设备,doi: 10.1109 / TED.2023.3244509。开放访问



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