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重新设计的核心和缓存为通用单片3 d系统层次结构


技术论文题为“RevaMp3D:架构处理器核心和缓存层次结构系统与单片集成逻辑与记忆”由瑞士苏黎世联邦理工学院的研究人员发表KMUTNB,发表,多伦多大学。文摘:“最近nano-technological进步使单片3 d (M3D)集成多种记忆和逻辑层在一个芯片上fine-graine……»阅读更多

自适应记忆性的硬件


新技术论文题为“自我组织的非齐次记忆性硬件序列学习”是苏黎世大学的研究人员公布的苏黎世联邦理工学院,大学格勒诺布尔阿尔卑斯,东航,Leti和东芝。“我们设计和实验证明递归神经网络自适应硬件架构记忆性自我组织的飙升(MEMSORN)。MEMSORN incorp……»阅读更多

有效的神经形态人工智能芯片:“NeuroRRAM”


新技术论文题为“compute-in-memory芯片基于电阻随机存取存储器”发表了斯坦福大学的国际研究团队,加州大学圣地亚哥分校,匹兹堡大学、圣母大学和清华大学。论文的文摘州”co-optimizing所有层次算法和体系结构设计的电路和设备,我们现在…»阅读更多

技术论文聚拢:7月5日


新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 36 /)半导体工程建设过程中这个库的研究论文。请将建议(通过下面的评论栏)还有什么你想让我们把。如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合…»阅读更多

基于MEMprop:梯度学习训练完全记忆性SNNs


基于新技术论文题为“梯度神经形态学习动力RRAM数组”从IEEE研究者。基于抽象的“我们现在MEMprop,采用梯度神经网络学习训练完全记忆性强化(MSNNs)。我们的方法利用固有设备动态触发自然产生电压峰值。这些记忆性动力学发出的峰值是肛交……»阅读更多

端到端系统对象定位通过耦合pMUTs神经形态RRAM-based计算地图


新的研究论文题为“神经形态对象定位使用电阻记忆和超声波换能器”从东航研究员LETI,大学格勒诺布尔阿尔卑斯和其他人。抽象的“真实的感觉处理应用程序需要紧凑、低延迟和低功耗计算系统。启用内存驱动的计算能力,混合memristive-Complementary……»阅读更多

使用动态路由映射技术,了解记忆电阻器


新技术论文题为“实证描述ReRAM设备使用内存映射和动态的路线图,”巴利阿里群岛大学,加州大学伯克利分校,卫生研究所的巴利阿里群岛,国际希腊大学,德累斯顿技术大学,巴利亚多利德大学,亚里士多德大学塞萨洛尼基。文摘:提出了“记忆电阻器初1…»阅读更多

数据驱动RRAM设备使用克里格插值模型


乔治华盛顿大学的新技术论文和NIST来自美国国防部高级研究计划局的支持等等。抽象的“双重克里格插值方法是提出了电阻开关模型跳表。最初开发的采矿和地质统计学,它的位置建模计算使得这种方法特别强大的电子设备和复杂的行为拉……»阅读更多

CXL和OMI:竞争或补充吗?


系统设计师正在寻找任何想法他们能找到提高内存带宽和容量,重点从提高内存的新类型的内存。但高层建筑的变化可以帮助满足这两个需求,甚至脱离cpu内存类型。两个新协议有助于使这一切成为可能,CXL和尾身茂。但有一个迫在眉睫的问题…»阅读更多

超低功耗硬件加速器的框架使用NNs嵌入时间序列分类


使用神经网络在嵌入式应用程序(NNs)分类任务,重要的是不仅减少神经网络的功耗计算,但整个系统。优化方法各个部分存在,如量化神经网络或模拟计算的算术运算。然而,没有整体的一个完整的嵌入式系统设计方法……»阅读更多

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