新的技术论文题为“使用内存映射和动态路线图的ReRAM设备的经验表征”，来自巴利阿里群岛大学，加州大学伯克利分校，巴利阿里群岛卫生研究所，国际希腊大学，Technische Universität德累斯顿，巴利亚多利德大学和塞萨洛尼基亚里士多德大学。
文摘:
“忆阻器在20世纪70年代初由Leon Chua提出，作为一种连接电荷和通量的新电子元件。自从第一次推出以来，这些设备已经被认为是未来几代电子设备的可能基础。在本文中，我们提出了一种研究电变量对器件忆阻影响的新方法，并成功地将该技术应用于TiN/Ti/HfO2/W ReRAM结构的行为建模。为此，我们首先在一般情况下应用动态路线图技术，以获得决定设备行为的微分方程的近似值。这是通过选择一个感兴趣的变量，并观察其自身的时间导数与其值和应用电压的演变来实现的。然后，根据这种技术，可以通过拟合一个函数来获得控制方程的方法，而不需要对潜在的物理机制做出任何假设。我们使用了一个多项式函数，通过积分得到的微分方程系统，可以精确再现测量器件的观察到的电学行为。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年5月出版。
海岸边,r;Stavrinides密度;艾尔·查瓦，M.M.;德贝尼托，C.;女仆,美国;Castan h;Hatzikraniotis大肠;使用内存映射和动态路由映射的ReRAM设备的经验特征。电子技术2012,11,1672。https://doi.org/10.3390/electronics11111672
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