Nanosheet GAAFETs:紧凑型建模(Politecnico di都灵)


技术论文题为“NS-GAAFET紧凑型建模:Sub-3-nm电路性能的技术挑战”是由研究人员发表Politecnico di都灵。文摘:“NanoSheet-Gate-All-Around-FETs (NS-GAAFETs)通常被认为是未来技术,推动数字节点扩展到低于纳米范围。NS-GAAFETs预计将取代FinFETs几年后,为…»阅读更多

使用动态路由映射技术,了解记忆电阻器


新技术论文题为“实证描述ReRAM设备使用内存映射和动态的路线图,”巴利阿里群岛大学,加州大学伯克利分校,卫生研究所的巴利阿里群岛,国际希腊大学,德累斯顿技术大学,巴利亚多利德大学,亚里士多德大学塞萨洛尼基。文摘:提出了“记忆电阻器初1…»阅读更多

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