技术论文聚拢:5月31日


新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 30 /)半导体工程建设过程中这个库的研究论文。请将建议(通过下面的评论栏)还有什么你想让我们把。如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合…»阅读更多

使用动态路由映射技术,了解记忆电阻器


新技术论文题为“实证描述ReRAM设备使用内存映射和动态的路线图,”巴利阿里群岛大学,加州大学伯克利分校,卫生研究所的巴利阿里群岛,国际希腊大学,德累斯顿技术大学,巴利亚多利德大学,亚里士多德大学塞萨洛尼基。文摘:提出了“记忆电阻器初1…»阅读更多

置换的合成事实上InGaN /氮化镓量子井与铟含量高


抽象的“InGaN /氮化镓量子井厚度(QWs)事实上可以使用短周期超晶格的能带工程的高效的光电设备,以及利用拓扑绝缘体行为III-nitride半导体。然而,它一直辩称,这种超薄QWs铟含量最高的活动限制在最多33%,narro……»阅读更多

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