InGaN /氮化镓量子井事实上厚度和铟含量高,希望能带工程的高效光电设备以及利用小说在III-nitride半导体异质结构拓扑绝缘体的行为
文摘
“InGaN /氮化镓量子井厚度(QWs)事实上可以使用短周期超晶格的能带工程的高效的光电设备,以及利用拓扑绝缘体行为III-nitride半导体。然而,它一直辩称,这种超薄QWs铟含量最高的活动限制在最多33%,缩小潜在的应用范围。在这里,这是证明了准二维(quasi-2D) QWs可以存放在一个原子单层厚度铟含量远远超过这个极限,在一定的生长条件。Multi-QW异质结构被plasma-assisted分子束外延生长及其组成和应变测定使用定量与monolayer-scale空间分辨率扫描透射电子显微镜结合原子论的计算。重要发现如自限性QW厚度和non-monotonic依赖QW成分的增长在富含金属增长条件下温度显示置换合成机制的存在,涉及在铟和镓原子在表面之间交换网站。这项工作接近50%铟含量最高,与光致发光测量协议,超过了此前认为的成分限制。拟议的合成机制可以引导增长努力二进制客栈/氮化镓quasi-2D QWs。”
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Vasileiadis, I.G.Lymperakis, L。Adikimenakis, a . et al .置换合成事实上InGaN /氮化镓量子井与铟含量高。20606年Sci代表11日(2021年)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 021 - 99989 - 0
发表:2021年10月18日
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