置换的合成事实上InGaN /氮化镓量子井与铟含量高


抽象的“InGaN /氮化镓量子井厚度(QWs)事实上可以使用短周期超晶格的能带工程的高效的光电设备,以及利用拓扑绝缘体行为III-nitride半导体。然而,它一直辩称,这种超薄QWs铟含量最高的活动限制在最多33%,narro……»阅读更多

规划Panel-Level扇出


几家公司正在开发或加大panel-level扇出包装来降低成本的先进包装。Wafer-level扇出是几个先进的包装类型,一个包可以包含死了,MEMS和被动者在一个集成电路方案。这种方法多年来一直在生产,生产圆晶片格式在200毫米或300毫米晶圆尺寸。扇出……»阅读更多

电力/性能:11月7日


加快MRAM加州大学伯克利分校和加州大学河滨分校的研究人员开发了一个超速的电磁力控制方法在某些金属,这可能导致增加磁性随机存取存储器的性能。虽然MRAM的不挥发性是一个福音,加快写作的一个比特的信息少于10纳秒一直是一个挑战。“非易失性的发展…»阅读更多

贸易战争笼罩了材料


是时候关注稀土和原材料——再次。事实上,供应链团队和大宗商品买家在航空航天,汽车和电子产品公司可能有一些新的和潜在的重大问题。一段时间,欧盟(EU),美国和其他国家一直与中国稀土。中国,占…»阅读更多

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