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标签:能带

异构集成问题和发展
通过埃德·斯珀林- 10月19日,2022 -评论:0

有一系列先进的包装,新发展新材料,chiplets,和互连方案,挑战,包括如何把芯片放在一个包,金属化,热循环,寄生在互连路径中。首席执行官迪克·Otte Promex行业,谈到这将如何改变芯片设计和制造,以及这些变化可能unfol……»阅读更多

置换的合成事实上InGaN /氮化镓量子井与铟含量高
通过技术论文链接11月- 03 2021 -评论:0

抽象的“InGaN /氮化镓量子井厚度(QWs)事实上可以使用短周期超晶格的能带工程的高效的光电设备,以及利用拓扑绝缘体行为III-nitride半导体。然而,它一直辩称,这种超薄QWs铟含量最高的活动限制在最多33%,narro……»阅读更多

将Co-Packaged光学取代可插入吗?
通过布来安梅奥10月- 14,2021 -评论:0

光连接工作深入到数据中心,一场辩论正在进行中。最好使用可插拔光模块或嵌入激光深入高级包?有问题的方便,权力,和可靠性驱动的讨论,最终的赢家还不清楚。“这个行业绝对是拥抱co-packaged光学”,James池塘,说校长……»阅读更多

功率放大器为5克战争开始
通过马克LaPedus8月24日,2020 -评论:2

需求增加功率放大器芯片和其他射频设备5 g基站,为不同公司和技术之间的摊牌。功率放大器设备是一个关键组件,提高基站的射频功率信号。它是基于两个竞争技术,硅LDMOS或射频氮化镓(GaN)。氮化镓,III-V技术,优于……»阅读更多

碳化硅的来龙去脉
通过埃德·斯珀林——3月19日,2020 -评论:0

首席技术官约翰•Palmour克里族,坐下来谈谈碳化硅半导体工程,如何比较硅,从设计和包装的角度看,有什么不同和使用。以下是摘录的谈话。SE:碳化硅电力电子与射频易于理解,但是是主要优势的能力,设备运行温度比硅,或者是……»阅读更多

好的和坏的二维材料
通过凯瑟琳德比郡- 2月27日,2019 -评论:0

尽管经过多年的警告达到硅的局限性,特别是在前沿流程节点,电子迁移率有限,仍没有明显的替代品。硅集成电路产业的长达数十年的主导地位只是部分原因是材料的电子性质。砷化镓锗,和许多其他半导体提供优越mobili……»阅读更多

石墨烯可以大规模生产吗?
通过凯瑟琳德比郡- 10月18日,2018 -评论:3

自2004年石墨烯的隔离,二维半导体的高流动性和独特的输运性质吸引物理学家和材料学家组成的。他们的平面载体运输和缺乏悬空债券可能会减少线/边缘散射和其他极端比例的影响。虽然二维材料不能与硅在当前设备毛钱……»阅读更多

不确定性的增加5 nm, 3海里
通过马克LaPedus12月19日,2016 -评论:4

一些芯片制造商增加10 nm finFET过程,与7海里指日可待,研发已经开始5海里。事实上,一些已经在场上移动全速前进。[getentity id = " 22586 "评论=“台积电”)最近宣布计划建立一个新的工厂在台湾,耗资157亿美元。该工厂是针对生产台积电5和3 nm流程,制作……»阅读更多

晶体管将会是什么样子在5海里
通过马克LaPedus- 8月18日,2016 -评论:3

芯片制造商目前正在加大16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里指日可待。该行业也正在5海里。台积电(TSMC)希望到2020年交付5 nm过程。GlobalFoundries,英特尔和三星在做研发的节点。但是5纳米技术提出了众多的未知和挑战。首先,具体时间和规格5 nm仍然是多云的。…»阅读更多

一对一:亚伦中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内
通过马克LaPedus1月- 22,2015 -评论:0

半导体工程坐下来讨论过程技术,晶体管的趋势和其他主题与亚伦中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内的副总裁过程技术和逻辑在Imec设备研发项目的主任。SE:芯片制造商增加16 nm / 14纳米的逻辑节点,在研发10 nm和7海里。当前的时间表10 nm和7海里?中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内:10纳米。我们将看到r……»阅读更多

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