研究人员提出一个双层克里格/探地雷达方法建模跳表RRAM设备和测试它相对传统的装箱方法使用范围广泛的合成高斯数据集与已知的平均值和标准偏差概要文件,以及实验数据。
乔治华盛顿大学的新技术论文和NIST来自美国国防部高级研究计划局的支持等等。
文摘
提出了“双重克里格插值方法为电阻开关模型跳表。最初开发的采矿和地质统计学,其位置的计算使得这种方法特别强大的电子设备具有复杂行为建模景观和开关噪声,像RRAM。本文第一次克里格模型是用来模拟和预测均值信号,接着第二个克里格一步用于模型切换噪声的标准差。我们使用36合成数据集覆盖范围广泛的不同的平均值和标准偏差高斯分布来测试我们的方法的有效性。我们还显示从TiO获得实验数据的适用性x设备和比较预测与实验测试发行版使用Kolmogorov-Smirnov和最大平均差异测试。我们的结果表明,该克里格方法可以预测的平均值和标准偏差的开关比典型的面元模型更准确。Kriging-based跳表可用于实际模型的行为RRAM和其他非易失性模拟装置数量和重量色散的影响在神经网络模拟。”
找到开放获取技术论文。2022年4月出版。
Hossen,我。安德斯,硕士王,l . et al .数据驱动RRAM设备使用克里格插值模型。5963年Sci代表12日(2022年)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 09556 - 4。
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