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标签:TCAD

基于人工神经网络(ANN)的模型来评估的特征Nanosheet场效应晶体管(NSFET)
通过技术论文链接- 02年9月,2022 -评论:0

这种新技术论文题为“Machine-Learning-Based紧凑型建模Sub-3-nm-Node新兴晶体管”是韩国成均馆大学的研究人员发表的朝鲜。文摘:在这篇文章中,我们提供了一个基于人工神经网络(ANN)的紧凑的模型来评估的特征nanosheet场效应晶体管(NSFET),一直强调作为next-generat……»阅读更多

TCAD-Based辐射建模技术可靠的航空航天芯片
通过伊恩的土地- 7月28日,2022 -评论:0

由伊恩土地和里卡多·博尔赫斯我们需求大量的电子元器件,使我们的设备和系统。尤其是当涉及到半导体空间应用程序。从卫星到太空飞船,航空航天和国防设备必须容忍最极端的操作条件来执行他们的工作安全、可靠。如何确保……»阅读更多

改善机器上优于Self-Augmentation半导体器件的建模数据
通过技术论文链接- 3月24日,2022 -评论:0

文摘:“在电子行业,引入机器学习(ML)的技术可以提高技术的计算机辅助设计(TCAD)方法。然而,毫升模型的性能高度依赖他们的训练数据集。特别是在半导体行业,考虑到半导体器件的制造过程是复杂的和昂贵的,的……»阅读更多

动态芯片电流分布仿真技术对功率器件布局设计
通过技术论文链接11月- 12,2021 -评论:0

文摘:“报告芯片电流分布验证技术的电力设备,考虑寄生布局的影响。该方法使芯片验证的动态电流分布的影响考虑寄生布局从最初的发展阶段的设备通过刷牙TCAD技术,每个元素香料模式……»阅读更多

一个新的Multi-Stimuli-Based ESD设计验证的模拟方法
通过技术论文链接11月- 12,2021 -评论:0

文摘:“分析TCAD ESD仿真对于HBM消灭使用真实世界的HBM ESD波形作为刺激和张力腿平台测试使用方波TLP脉冲火车作为刺激。它得出结论,TCAD ESD模拟使用HBM波形或TLP脉冲火车,孤独,是不够的。我们引入一个新的混合模式模拟流使用HBM和TLP刺激达到防静电设计公关……»阅读更多

内存芯片设计和验证的新愿景
通过Anand Thiruvengadam- 02年9月,2021 -评论:0

离散存储芯片可以说是最明显的提醒先进的半导体设计的机遇和挑战。他们都是在大量生产,成为新技术节点和新制造过程的关键因素。价格波动产生重大影响的财务健康电子行业,和任何短缺可以关闭生产线…»阅读更多

建模从原子系统芯片
通过安Steffora Mutschler- 8月26日,2021 -评论:1

在硬件设计复杂性蔓延到其他学科,包括软件、制造业、和新材料,为如何创建问题模型更多的数据在多个抽象级别。挑战越来越围绕抽象级别用于一个特定阶段的设计,何时使用它,包括哪些数据。这些决定是在每个ne越来越困难……»阅读更多

锗硅在办公室的寄生参数的影响
通过Coventor- 9月27日,2019 -评论:0

本文基于仿真的设计技术开(DTCO)进行使用Coventor SEMulator3D虚拟制造平台集成电分析能力[1]。在我们的研究中,过程建模是用来预测的敏感性FinFET锗硅外延设备性能变化的过程。模拟过程gate-last流p…»阅读更多

连接Wafer-Level寄生提取和网表
通过迈克尔Hargrove——4月18日,2019 -评论:0

半导体技术模拟世界通常分为设备级的TCAD (CAD)技术和电路级紧凑型建模。较大的EDA公司提供高级设计仿真工具执行lv(布局与示意图),刚果民主共和国(设计规则检查),和许多其他软件解决方案,促进整个设计过程在最先进的技术节点。在这…»阅读更多

五个DAC关键提示
通过布莱恩•贝利- 7月17日,2018 -评论:0

摩尔定律的结局可能会创建一个新的黄金时代的设计,特别是受人工智能和机器学习。但设计将成为任务、应用程序和特定领域,并将要求我们考虑产品的生命周期在不同的方式。在未来,我们也将不得不设计经验的增加,不仅自动化……»阅读更多

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