这篇题为“弛豫时间超过0.1毫秒的可制造超导量子比特之路”的新技术论文由Imec和鲁汶大学的研究人员发表。
摘要
“随着超导量子比特平台在走向实用量子计算机的竞赛中走向更大的规模，由于缺乏过程控制而导致的量子比特不均匀性的限制变得明显。为了从工业规模CMOS制造设施的先进工艺控制中受益，将需要不同的加工方法。特别是，目前最先进的超导量子比特所使用的双角度蒸发和起飞技术通常与现代可制造工艺不兼容。在这里，我们展示了一种完全CMOS兼容的量子比特制造方法，并展示了具有长相干性和松弛时间的重叠约瑟夫森结器件的结果，与最先进的技术相当。我们通过实验验证了氩研磨(结制造中的关键步骤)和减法-蚀刻过程仍然会导致具有平均量子位能量松弛时间的量子位T1达到70µs，最大值超过100µs。此外，我们表明我们的结果仍然受到表面损失的限制，而不受结损失的限制，这一点至关重要。因此，提出的制造工艺预示着高相干超导量子比特可制造300毫米CMOS工艺的重要里程碑，并有可能推动超导器件架构的规模化。”
找到这里是技术文件．2022年8月出版。
维乔，阿查里亚，R.，云顿等。弛豫时间超过0.1 ms的可制造超导量子比特的路径。npj量子Inf 8, 93(2022)。https://doi.org/10.1038/s41534 - 022 - 00600 - 9。
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