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标签:绝缘体上硅

小说Multi-Independent闸控FinFET技术
通过技术论文链接- 08年11月,2022 -评论:0

新技术论文题为“小说的特点与Multi-Enhanced操作FinFET盖茨(MEOG FinFET)”是常州大学的研究人员发表的。文摘:“这项研究说明了一种新型设备。整合鳍场效应晶体管(FinFETs)与当前绝缘体(SOI)晶圆制造先进的特定的设备提供了一个很好的平台…»阅读更多

完全CMOS-compatible三元逆变器与记忆功能使用硅场效应晶体管反馈(FBFETs)
通过技术论文链接2022年8月- 02年,评论:0

新技术论文题为“新三元场效应晶体管逆变器使用硅与记忆功能反馈”从韩国大学的研究人员发表。文摘:在这项研究中,我们提出一个完全互补metal-oxide-semiconductor-compatible三元逆变器与记忆功能使用硅场效应晶体管(FBFETs)反馈。FBFETs操作与pos……»阅读更多

Label-Free c反应蛋白硅纳米线场效应晶体管传感器阵列与Super-Nernstian后门操作
通过技术论文链接2022年2月- 13(-评论:0

文摘:“我们现在CMOS-compatible双闸门和label-free c反应蛋白(CRP)传感器,基于绝缘体上硅(SOI)硅纳米线阵列。我们利用一个参考减去检测方法和super-Nernstian内部放大的双闸门结构。我们克服了德拜屏蔽带电c反应蛋白的蛋白质在解决方案中使用的抗体片段c…»阅读更多

灵活的高性能低功耗的RISC-V网络加速器包处理
通过技术论文链接8月11日,2021 -评论:0

在这里找到技术论文链接。抽象”卸载数据和控制任务的能力,网络正变得越来越重要,特别是如果我们考虑网络的更快的增长速度相比,CPU频率。网络计算减轻主机CPU负载运行任务直接在网络,使额外的计算/通信重叠和锅……»阅读更多

稀释剂与二维半导体通道
通过凯瑟琳德比郡- 6月21日,2021 -评论:0

搬到未来的节点需要的不仅仅是较小的特点。3/2nm之外,新材料可能被添加,但哪些,什么时候将取决于爆炸材料的科学研究进行的大学和公司在全球范围内。场效应晶体管、门创建一个电场的电压通道,弯曲的禁令……»阅读更多

基准的研究附加磁场效应晶体管(CFET)过程集成选项通过虚拟制造
通过Coventor- 01年6月,2020 -评论:0

四个流程选择附加磁场效应晶体管(C-FET),使用不同的设计和起始底物(如果散装,绝缘体或Double-SOI),比较评估过程变异的概率失败。研究了使用虚拟制造技术,而无需任何实际测试晶圆的制造。在这项研究中,Nanosheet-on-Nanoshe……»阅读更多

FD-SOI采用扩展
通过埃德·斯珀林- 2月21日,2018 -评论:2

完全耗尽的绝缘体(FD-SOI)是取得进展的新市场,从物联网汽车机器学习,和大幅偏离原来的位置作为一个成本更低的替代finFET-based设计。多年来,[getkc id = " 220 " kc_name =“FD-SOI”)被视为非此即彼的解决方案针对相同的市场大部分[gettech id = " 31093 " c…»阅读更多

周评:制造与设计
通过马克LaPedus- 10月25日,2013 -评论:0

现在不要看,但英特尔正在扩大其铸造业务。此前,英特尔获得一个小铸造厂客户的集合。但英特尔不会娱乐铸造基于ARM芯片的竞争产品的客户。显然,英特尔正在改变主意。“我认为他们已经改变了他们的位置,”内森·布鲁克伍德说:研究员Insight 64。“他们会做一个…»阅读更多

本周评论:9月23日
通过马克LaPedus- 9月23日,2013 -评论:0

由马克LaPedus在一段时间内,苹果公司的iphone已经包含一个单独的射频开关和多样性开关游隼半导体(PSMI)。交换机是基于一个绝缘体(SOI)变体称为蓝宝石上硅(SOS)。日本村田公司需要外来的射频开关和整合成一个模块。加拿大皇家银行资本分析师Doug Freedman说,苹果公司不再使用PSMI�…»阅读更多

本周评论:8月26日
通过马克LaPedus- 8月26日,2013 -评论:0

由马克LaPedus人和机器之间的进化关系是关键的主题Gartner在2013年最“炒作”技术。Gartner选择特性人和机器之间的关系由于增加炒作智能机器,认知计算和物联网。高德纳公司还发布了更新图表炒作技术。负责原…»阅读更多

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