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技术论文

新型多独立门控FinFET技术

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常州大学的研究人员发表了一篇题为“具有多增强操作栅极的新型FinFET (MEOG FinFET)的特性”的新技术论文。

文摘:
“这项研究说明了一种新型设备。将翅片场效应晶体管(finfet)与当前的绝缘体上硅(SOI)晶圆集成为制造先进的特定器件提供了一个极好的平台。SOI FinFET器件由三个独立的栅极组成。通过连接各种栅极,可以得到多种工作模式。与传统的finfet相比,本研究的多重增强操作栅极场效应晶体管通过连接选择模式将独立栅极组合在一起;因此,可以在一个器件中实现具有五个等效工作状态的FinFET。这种新颖的功能可以通过连接相应的栅极组合,增加集成度和转换工作模式,使器件能够在多个特定电压和电流下工作,从而满足高速、低功耗和其他潜在应用的不同需求。此外,还强调了潜在的应用。”

找到这里是技术文件。2022年11月出版。

湾,h;刘,x;苏,x;任,x;罗,美国;周强。一种新型多增强操作门FinFET (MEOG FinFET)的特性。达成。科学学报,2022,12,11279。https://doi.org/10.3390/app122111279。



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