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标签:finFET

针对高级finfet全定制电路的基于区域布局的自动布局生成器(UT Austin/NVIDIA)
通过技术文件链接- 2022年12月15日-意见:0

一篇题为“AutoCRAFT:高级FinFET技术中定制电路的布局自动化”的技术论文由德克萨斯大学奥斯汀分校和NVIDIA的研究人员发表。“本文介绍了AutoCRAFT，一种自动布局生成器，针对高级finfet全定制电路的基于区域的布局。AutoCRAFT使用专门的地点和路线(P&R)算法来处理各种设计缺点…»阅读更多

新型多独立门控FinFET技术
通过技术文件链接- 2022年11月8日-评论:0

常州大学的研究人员发表了一篇题为“具有多增强操作门的新型FinFET (MEOG FinFET)的特性”的新技术论文。摘要:“本研究展示了一种新型装置。将翅片场效应晶体管(finfet)与当前的绝缘体上硅(SOI)晶圆集成为制造先进的特定器件提供了一个极好的平台。»阅读更多

用于高可扩展电容性神经网络的L-FinFET神经元(KAIST)
通过技术文件链接- 2022年10月31日-评论:0

韩国科学技术院(KAIST)的研究人员发表了一篇题为“具有漏孔鳍形场效应晶体管的高可扩展电容性神经网络的人工神经元”的新技术论文。“在商业化的闪存中，隧穿氧化物防止被捕获的电荷逃逸，以获得更好的存储能力。在我们提出的FinFET神经元中，t…»阅读更多

低温CMOS变冷
通过布莱恩•贝利- 2022年8月11日-评论

低温CMOS技术是一项新兴的技术，具有较高的性能和较低的功耗，且制造工艺没有任何变化。现在的问题是它是否可行并成为主流。技术往往看起来就在地平线上，还没有完全实现，但也不会离我们太远。这通常是因为某些问题困扰着它，而激励机制又不足以解决这些问题……»阅读更多

《第三维度的芯片制造
通过Krishnan Shrinivasan- 2022年6月16日-评论:0

每隔几个月，就会推出新的改进的电子产品。它们通常更小、更智能、更快、带宽更大、更节能等等——这一切都要归功于新一代先进的芯片和处理器。我们的数字社会已经开始期待这种源源不断的新设备，就像太阳明天一定会升起一样。然而，在幕后，工程师们正在努力……»阅读更多

以仿真为中心的SoC设计功率分析
通过Lauro Rizzatti- 2022年6月9日-评论:0

验证专家Lauro Rizzatti最近采访了西门子EDA可扩展验证解决方案部门(SVSD)的高级营销总监Jean-Marie Brunet，讨论了精确功率估计和优化对片上系统(SoC)设计的重要性。关于前硅功率估计，当今半导体行业面临的问题是什么?问题是……»阅读更多

芯片短缺即将结束?
通过马克LaPedus- 2021年11月18日-评论

目前半导体和IC封装的短缺浪潮预计将持续到2022年，但也有迹象表明，供应可能最终会赶上需求。半导体和封装行业的制造能力、材料和设备也是如此。尽管如此，在所有领域都出现短缺一段时间后，目前的观点是芯片供应…»阅读更多

四周期垂直堆叠SiGe/Si沟道FinFET的制备及其电特性
通过技术文件链接- 2021年8月28日-评论:0

李勇，赵峰，程旭，刘宏，昝勇，李军，张强，吴震，罗军，王伟。四周期垂直堆叠SiGe/Si通道FinFET的制备及其电特性。纳米材料(巴塞尔)。2021年6月28日;11(7):1689。doi: 10.3390 / nano11071689。PMID: 34203194;PMCID: PMC8307669。在这里找到技术论文。摘要:本论文针对外延厚度的限制和外延厚度的高…»阅读更多

向3nm节点迈进及超越:技术、挑战和解决方案
通过迈克尔Hargrove- 2021年8月19日-评论:0

finfet的出现似乎还停留在昨天，它是器件尺寸限制的答案，这些限制是由缩小的栅极长度和所需的静电造成的。finfet的引入从22nm节点开始，一直持续到7nm节点。在7nm之外，纳米薄片器件结构将至少用于5nm节点，也可能用于3nm节点。纳米片器件结构是其大脑结构。»阅读更多

用AFMs进行埃级测量
通过马克LaPedus- 2021年8月19日-评论:0

原子力显微镜(AFM)市场的竞争正在升温，几家供应商正在推出新的AFM系统，以解决包装、半导体和其他领域的各种计量挑战。AFM是一个小而发展的领域，它涉及一个独立的系统，可以提供低至埃级的结构表面测量。1埃= 0…»阅读更多

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