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技术论文

针对高级finfet全定制电路的基于区域布局的自动布局生成器(UT Austin/NVIDIA)

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一篇题为“AutoCRAFT:高级FinFET技术中定制电路的布局自动化”的技术论文由德克萨斯大学奥斯汀分校和NVIDIA的研究人员发表。

“本文介绍了AutoCRAFT,一种自动布局生成器,针对高级finfet全定制电路的基于区域的布局。AutoCRAFT使用专门的地点和路线(P&R)算法来处理各种设计约束,同时坚持典型的FinFET布局风格。经过全面的布局后分析验证,AutoCRAFT在生成工业基准的签字质量布局方面取得了有前景的初步成果。”

找到这里是技术文件.2022年4月出版。

ISPD ' 22: 2022年物理设计国际研讨会论文集。第175 - 183页,https://doi.org/10.1145/3505170.3511044。
作者:陈浩,Walker J. Turner,宋三全,朱克仁,George F. Kokai, Brian Zimmer, C. Thomas Gray, Brucek Khailany, David Z. Pan和任浩星。



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