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标签:finFET

使用虚拟制造的器件性能工艺变化分析-在CMOS 14纳米FinFET器件上演示的方法
通过Coventor- 2021年8月18日-评论:0

提出了一种新的方法来评估制造固有工艺变异性对14纳米翅片场效应晶体管(FinFET)器件性能的影响。通过虚拟设备的制作和测试，建立了FinFET器件的模型。该模型随后在实验设计角案例数据上进行校准，这些数据是在有限数量的加工晶圆上收集的。W……»阅读更多

英特尔/GF交易:优点，缺点，未知数
通过马克LaPedus- 2021年7月22日-意见

《华尔街日报》(Wall Street Journal)的一篇报道称，英特尔(Intel)正在商谈以300亿美元收购GlobalFoundries。报告发表已经一周了。英特尔仍然保持沉默。格拉姆说，目前没有进行任何谈判。无论如何，为了以防万一，有必要考虑所有可能的情况，以及其中的利弊。那里有一层又一层的铁……»阅读更多

芯片传感和PVT监控:不仅仅是一种保险策略
通过拉姆齐·艾伦- 2021年5月11日-意见:0

你不会在没有保险的情况下开昂贵的汽车，也不会在没有进行仪器和控制面检查的情况下乘坐飞机。那么，你为什么要冒险设计一个价值数百万美元的高级节点半导体设备，而不确保你意识到并能够管理有可能成就或破坏硅产品的动态条件呢?先进的……»阅读更多

传感器将在soc中激增
通过蒂姆Penhale-Jones- 2020年10月15日-评论:0

没有人喜欢被为难，然而我们都喜欢预测……我们都知道，预测的唯一保证就是它是错的。体育解说员用“解说员诅咒”为自己开辟了一个特殊的细分市场:就在他们颂扬个人或团队的优点时，体育之神却用惊人的方式证明他们错了!政府也好不到哪里去:经济……»阅读更多

后布局仿真正成为模拟验证的瓶颈
通过格雷格·柯蒂斯- 2020年6月25日-评论:0

天啊，时代变了。我记得当我刚从大学毕业开始做绿色模拟设计时，我们会在一个大的光台上切割红石掩膜，代表我们设计的不同层，以生成制造芯片的设计。我们积极地努力减轻信号网络噪声的交叉耦合，但我们很少关心互连问题。»阅读更多

处理热问题的新方法
通过安Mutschler- 2020年6月11日-评论:0

新的热监测、模拟和分析技术开始在前沿节点开发的芯片和先进封装中融合，以保持这些设备在最佳温度下运行。这在人工智能、汽车、数据中心和5G等应用中尤为重要。高温会杀死芯片，但也会造成更微妙的影响，比如过早衰老……»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过马克LaPedus- 2020年3月13日-评论:0

新冠肺炎疫情对半导体、智能手机等相关市场产生了重大影响。例如，SEMI的一份报告显示，全球晶圆厂设备支出有望从2019年的低迷中反弹，并在今年出现温和复苏。但据该代表表示，2020年，冠状病毒(COVID-19)的爆发侵蚀了中国和其他地区的晶圆厂设备支出。»阅读更多

生产时间:2月25日
通过马克LaPedus- 2020年2月25日-意见:0

HRL实验室在开发金刚石finfet方面取得了新的重大进展。波音公司和通用汽车公司的合资研发企业HRL开发了一种新的金刚石fet欧姆再生技术。这反过来可以为商业钻石fet铺平道路。应用包括航天器、卫星和极端温度系统。还在研发，老兄…»阅读更多

走在边缘
通过马克LaPedus- 2020年1月27日-意见:3

Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadière与《半导体工程》(Semiconductor Engineering)聊了聊人工智能(AI)、边缘计算和芯片技术。以下是那次谈话的节选。SE:人工智能未来会走向何方?Sabonnadière:我坚信边缘AI将改变我们的生活。今天的微电子学是由80%的东西组织起来的…»阅读更多

SiGe对PMOS寄生参数的影响
通过Coventor- 2019年9月27日-评论:0

本文利用covenor SEMulator3D虚拟制造平台及其集成电分析功能[1]，实现了基于仿真的设计技术协同优化(DTCO)。在我们的研究中，工艺建模被用来预测FinFET器件性能对硅锗外延工艺变化的敏感性。所模拟的过程是一个末浇流过程。»阅读更多

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