一个新的方法来评估固有的影响制造过程的可变性在14纳米鳍场效应晶体管(FinFET)设备性能。
演示了一个新的方法来评估固有的影响制造过程的可变性在14纳米鳍场效应晶体管(FinFET)设备性能。FinFET设备建成的模型使用虚拟设备制造和测试。模型随后校准实验设计角落案例数据被收集在有限数量的半导体晶片加工。然后执行400个虚拟实验包括七个过程变异的来源。使用此虚拟制造技术,我们能够确定一个最低gate-to-source /排水垫片厚度对高温post-EPI快速热退火(RTA)退火过程,避免设备阈下斜坡处罚。模型允许我们确定最优Si凹槽深度目标和源/漏之前外延过程窗口。我们得到这些结果的评估设备性能统计过程的函数灵敏度和突出关键工艺参数要求变化控制。这些实验是不切实际的执行在实际的工厂中,由于时间、成本和设备需求运行400 fab-based过程变异为每个工艺参数实验。这种方法可以用来避免wafer-based测试在早期技术的发展。
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