过程使用虚拟制造设备性能的差异分析——方法证明了在CMOS 14纳米FinFET车辆

通过Coventor- 8月18日,2021 -评论:0

演示了一个新的方法来评估固有的影响制造过程的可变性在14纳米鳍场效应晶体管(FinFET)设备性能。FinFET设备建成的模型使用虚拟设备制造和测试。模型随后校准实验设计角落案例数据被收集在有限数量的半导体晶片加工。W……»阅读更多

芝诺半扩展芯片上的记忆

通过凯文·福格蒂- 10月30日,2018 -评论:0

位于加州圣何塞启动芝诺半导体测试修改和更小的晶体管单流程节点的28 nm SRAM芯片它在2016年推出,这将促进空间芯片上的CPU内存超过2.5倍,根据公司的联合创始人兼首席执行官,Yuniarto无力偿付。Zeno-1晶体管是建立在标准CMOS工艺,具有双稳态双transisto……»阅读更多

通过马克LaPedus11月- 13,2014 -评论:0

芯片制造商目前正在加大硅finFETs 16 nm / 14 nm节点,计划规模相同的技术到10纳米。现在,该行业关注的晶体管选项7海里。有一段时间,几个下一代晶体管类型涉及的主要竞争者。目前,行业缩小选项和一个技术是一个令人惊讶的lea……»阅读更多