韩国科学技术院(KAIST)的研究人员发表了一篇题为“具有漏孔鳍形场效应晶体管的高可扩展电容性神经网络的人工神经元”的新技术论文。
“在商业化的闪存中，隧穿氧化物防止被捕获的电荷逃逸，以获得更好的存储能力。在我们提出的FinFET神经元中，隧道氧化物被故意去除，以逃脱捕获的电荷，从而使神经元具有泄漏功能，”该论文的主要作者、韩国科学技术院(KAIST)研究员韩俊圭(Joon-Kyu Han)说《先进科学新闻》．“因此，由于所提出的FinFET神经元的门结构，模拟了生物神经元的泄漏集成与发射(LIF)功能。”
找到这里是技术文件．2022年10月出版。
Han, J.， Yu, J.， Kim, D.和Choi, Y.(2022)，具有泄漏鳍形场效应晶体管的高可扩展电容性神经网络的人工神经元。放置智能。系统。2200112。https://doi.org/10.1002/aisy.202200112。
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