L-FinFET神经元的高度可伸缩的电容式神经网络(韩科院)


新技术论文题为“人工神经元位于鳍形场效应晶体管有漏缝的高度可伸缩的电容式神经网络”由韩科院的研究人员发表(韩国先进科学技术研究所)。“在商业化的闪存,隧道氧化防止被指控逃避更好的记忆能力。在我们提出FinFET神经元,t…»阅读更多

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