L-FinFET神经元的高度可伸缩的电容式神经网络(韩科院)


新技术论文题为“人工神经元位于鳍形场效应晶体管有漏缝的高度可伸缩的电容式神经网络”由韩科院的研究人员发表(韩国先进科学技术研究所)。“在商业化的闪存,隧道氧化防止被指控逃避更好的记忆能力。在我们提出FinFET神经元,t…»阅读更多

点评:制造业的一周


海纳国际的分析师克里斯托弗•罗兰芯片制造商,希望看到更多IC行业的并购活动进入2018年。“2017年并购活动放缓,但今年出去,砰的一声!”罗兰在最近的一份研究报告中表示。举例来说,在2017年底为高通Broadcom出价,而马维尔宣布有意收购Cavium……»阅读更多

深入:嵌入式NVM技术


许多的新一代设备,将物联网/ E将拥有权力,足迹,和电子约束,这在以前是从来没有过的。电子闪存(eFLASH)及其衍生物被视为一个现实的解决这些小外形设计约束和简单的埃克斯波特学院设备。“NVM将非常重要的埃克斯波特学院从节约能源的角度来看,“……»阅读更多

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