L-FinFET神经元的高度可伸缩的电容式神经网络(韩科院)


新技术论文题为“人工神经元位于鳍形场效应晶体管有漏缝的高度可伸缩的电容式神经网络”由韩科院的研究人员发表(韩国先进科学技术研究所)。“在商业化的闪存,隧道氧化防止被指控逃避更好的记忆能力。在我们提出FinFET神经元,t…»阅读更多

氮化硅/氧化硅的选择性蚀刻使用ClF3 / H2远程等离子体


韩国成均馆大学的研究人员,麻省理工学院和其他存在选择性蚀刻的选择。抽象的“精确和选择性去除氮化硅(SiNx) /氧化硅氧化物(SiOy) /氮化栈是当前三维的关键,而闪存制造工艺类型。在这项研究中,快速和选择性等向性蚀刻SiNx在SiOy室内外……»阅读更多

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