成均馆大学、麻省理工学院和其他研究人员提出了一种选择性蚀刻的选择。
摘要
“精确和选择性去除氮化硅(SiNx)而不是氧化硅(SiOy)在氧化物/氮化物堆栈中是当前三维非与型闪存制造工艺的关键。在本研究中，快速和选择性各向同性蚀刻SiNx在SiOy使用ClF3./小时2电感耦合等离子体系统中的远程等离子体。罪x腐蚀速率超过80 nm/min，腐蚀选择性(SiNx在ClF下观察到~ 130的SiOy)3.远程等离子体在室温。此外，H2到ClF3.由于等离子体中F自由基的减少，导致氧化物和氮化物的蚀刻速率降低，蚀刻选择性提高了200以上。ClF的时间依赖蚀刻特性3., ClF3.& H2在氧化氮叠加晶片上刻蚀氮化硅时，远端等离子体的加载效应较小，刻蚀速率与空白氮化晶片相似。
找到开放获取这里是技术文件．2022年4月出版。
李，W.，金，K.，金，D.等。利用ClF3/H2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅。科学报告12,5703(2022)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 09252 - 3。
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