标签:韩国成均馆大学

芯片产业的技术论文摘要:3月21日
通过琳达·克里斯坦森- 3月21日,2023 -评论:0

新技术论文最近添加到半导体工程图书馆:[表id = 88 /]如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合我们的全球观众。至少,论文需要研究和记录,与半导体相关的生态系统,和自由市场的偏见。为我们没有成本……»阅读更多

大规模纳米厚的石墨薄膜(神经生长因子)作为EUV薄膜
通过技术论文链接- 3月18日,2023 -评论:0

一个新的技术论文题为“石墨薄膜:物理保护下一代EUV光刻技术”由渥太华大学的研究人员发表韩国成均馆大学,Hanbat国立大学。抽象的“极端紫外线光刻技术(EUVL)被广泛应用于电子、汽车、军事、和人工智能计算集成电路芯片制造领域。pellicl……»阅读更多

研究部分:3月6日
通过杰西·艾伦- 06年3月,2023 -评论:0

2 d tmd在硅麻省理工学院的工程师,德克萨斯大学达拉斯,基础科学研究所韩国成均馆大学,圣路易斯华盛顿大学,加州大学河滨分校,延世大学直接督导下的研究,找到了一种方法增加2 d材料行业标准硅晶圆,同时保留他们的水晶形体。使用新的“nonepitaxial,单个水晶g…»阅读更多

技术论文摘要:9月6日
通过琳达·克里斯坦森- 06年9月,2022 -评论:0

新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 49 /)半导体工程建设过程中这个库的研究论文。请将建议(通过下面的评论栏)还有什么你想让我们把。如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合f……»阅读更多

基于人工神经网络(ANN)的模型来评估的特征Nanosheet场效应晶体管(NSFET)
通过技术论文链接- 02年9月,2022 -评论:0

这种新技术论文题为“Machine-Learning-Based紧凑型建模Sub-3-nm-Node新兴晶体管”是韩国成均馆大学的研究人员发表的朝鲜。文摘:在这篇文章中,我们提供了一个基于人工神经网络(ANN)的紧凑的模型来评估的特征nanosheet场效应晶体管(NSFET),一直强调作为next-generat……»阅读更多

技术论文摘要:8月30日
通过琳达·克里斯坦森8月- 30,2022 -评论:0

新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 47 /)半导体工程建设过程中这个库的研究论文。请将建议(通过下面的评论栏)还有什么你想让我们把。如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合…»阅读更多

3 d NAND:场景扩展与叠加
通过技术论文链接- 8月25日,2022 -评论:0

累加起来的一个新的研究论文题为“的影响和造成一些细胞在3 d NAND阈值电压”是韩国成均馆大学和韩国大学的研究人员发表的。文摘”在过去的几十年中,NAND闪存有先进的成倍增加的增长。一些细胞在3 d NAND闪存堆积起来,一起按比例缩小,一些种种…»阅读更多

技术论文聚拢:4月19日
通过琳达·克里斯坦森——4月19日,2022 -评论:0

新技术论文包括选择性蚀刻,ISO 26262试验台硬件加速器,RISC-V,激光雷达,EUV掩码检查,故障攻击,边缘计算、氧化镓和机器学习VLSI CAD-on-chip电网设计。尖端的研究已经扩展到了全球。它从美国空军延伸,如麻省理工学院、学校和大学在意大利、西班牙、葡萄牙、印度、K……»阅读更多

氮化硅/氧化硅的选择性蚀刻使用ClF3 / H2远程等离子体
通过技术论文链接——4月18日,2022 -评论:0

韩国成均馆大学的研究人员,麻省理工学院和其他存在选择性蚀刻的选择。抽象的“精确和选择性去除氮化硅(SiNx) /氧化硅氧化物(SiOy) /氮化栈是当前三维的关键,而闪存制造工艺类型。在这项研究中,快速和选择性等向性蚀刻SiNx在SiOy室内外……»阅读更多

技术论文聚拢:3月29日
通过琳达·克里斯坦森- 3月29日,2022 -评论:0

提高电池、超低功率光子计算边缘,大满贯,为二维半导体碲,水库计算过去一周的技术论文。对能源的关注是至关重要的边缘的构建仍在继续,更多的设备连接到一个电池,在研究新体系结构和材料,将继续扩展,提高每瓦特性能继续在th……»阅读更多

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