可伸缩的自旋电子学制造;跨层技术;3 dic金属成键;memristor-based人工神经网络;register-in-memory转变;缓存一致性;石墨薄膜作为一种EUV薄膜;虚拟样机的包装;横杆基于CIM神经网络;AMS电路学习。
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| 技术论文 | 研究机构 |
|---|---|
| 可伸缩的自旋电子学制造过程 气急败坏的L10-FePd及其合成反铁磁性物质在Si /二氧化矽晶圆可伸缩的自旋电子学 |
明尼苏达大学和NIST,由美国国防部高级研究计划局资助等 |
| MetaSys:一种实用的开源元数据管理系统实施和评估跨层优化 | 多伦多大学、苏黎世ETH和卡内基梅隆大学 (最佳论文奖得主) |
| 向移位寄存器由单细胞Multiple-Strategy处理 相变存储材料 |
新加坡理工大学设计和剑桥大学 |
| ReMeCo:可靠Memristor-Based内存神经形态计算 | 埃因霍温理工大学,德黑兰大学和南加州大学 |
| 室温直接镀铜Semi-Additive (SAP)结合Chip-on-Wafer 3 d与μLED异构集成 | 东北大学(日本) |
| 标签:学习电路空间嵌入布局 | 但奥斯汀和英伟达 |
| 监狱长:专业缓存一致性为高级并行语言 | 西北大学和卡内基梅隆大学 |
| 石墨薄膜:物理保护下一代EUV光刻技术 | 韩国成均馆大学,渥太华大学和Hanbat国立大学 |
| 由虚拟样机使用数值模拟优化设计,以确保热机的电子组装和互连的可靠性程序集 | 弗劳恩霍夫ENAS |
| 神经网络计算与非易失性内存元素:从合作设计审查的角度来看 | 阿贡国家实验室,普渡大学,印度科技学院的马德拉斯 |
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